[發明專利]集成電路芯片在審
| 申請號： | 202011195363.7 | 申請日： | 2020-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN112750823A | 公開（公告）日： | 2021-05-04 |
| 發明（設計）人： | 黃懋霖;朱龍琨;徐崇威;余佳霓;江國誠;王志豪 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/088 | 分類號： | H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 謝強;黃艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 集成電路 芯片 | ||
【權利要求書】：
1.一種集成電路芯片，包括：
一第一納米片場效晶體管，布置在一基板上方，并且具有一第一臨界電壓，上述第一納米片場效晶體管包括：
一第一柵極電極層，從一第一源極/漏極區延伸到一第二源極/漏極區，以及
多個第一納米片通道結構，嵌入在上述第一柵極電極層中，并且從上述第一源極/漏極區延伸到上述第二源極/漏極區；
一第二納米片場效晶體管，橫向布置在上述第一納米片場效晶體管旁邊且在上述基板上方，并且具有與上述第一臨界電壓不同的一第二臨界電壓，上述第二納米片場效晶體管包括：
一第二柵極電極層，從一第三源極/漏極區延伸到一第四源極/漏極區，以及
多個第二納米片通道結構，嵌入在上述第二柵極電極層中，并且從上述第三源極/漏極區延伸到上述第四源極/漏極區；以及
一第三納米片場效晶體管，橫向布置在上述第二納米片場效晶體管旁邊且在上述基板上方，并且具有與上述第二臨界電壓不同的一第三臨界電壓，上述第三納米片場效晶體管包括：
一第三柵極電極層，從一第五源極/漏極區延伸到一第六源極/漏極區，以及
多個第三納米片通道結構，嵌入在上述第三柵極電極層中，并且從上述第五源極/漏極區延伸到上述第六源極/漏極區。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
