[發明專利]微機電系統及其制造方法

在審

• 申請號: 202011194524.0
• 申請日: 2020-10-30
• 公開（公告）號: CN112744779A
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: 陳揚哲;梁其翔;林振華;劉醇明;曾皇文;鄧伊筌
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: B81B7/02
• 分類號: B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

本發明的實施例涉及一種微機電系統(MEMS)包括電路襯底，設置在電路襯底上方的第一MEMS結構以及設置在第一MEMS結構上方的第二MEMS結構。本發明的實施例還涉及制造微機電系統的方法。

技術領域

本發明的實施例涉及微機電系統及其制造方法。

背景技術

最近已經開發了微機電系統(MEMS)器件。MEMS器件包括使用半導體技術制造以形成機械部件和電氣部件的器件。MEMS器件被實現在壓力傳感器、麥克風、致動器、鏡相器、加熱器和/或打印機噴嘴中。盡管用于形成MEMS器件的現有器件和方法通常已經足以滿足其預期目的，但是它們不是在所有方面都完全令人滿意。

發明內容

根據本發明的一個方面，提供了一種微機電系統，包括：電路襯底；第一微機電系統結構，設置在電路襯底上方；以及第二微機電系統結構，設置在第一微機電系統結構上方。

根據本發明的另一個方面，提供了一種微機電系統，包括：電路襯底；第一微機電系統結構，設置在電路襯底上方；第一絕緣層，設置在電路襯底與第一微機電系統結構之間；第二微機電系統結構，設置在第一微機電系統結構上方；第二絕緣層，設置在第一微機電系統結構和第二微機電系統結構之間；以及覆蓋物，設置在第二微機電系統結構上方，其中：第一微機電系統結構包括用于檢測在第一方向上的移動的電容傳感器，以及第一微機電系統結構和第二微機電系統結構配置為檢測在垂直于第一方向的第二方向上的移動。

根據本發明的又一個方面，提供了一種制造微機電系統的方法，包括：在設置在第一襯底上的第一介電層上形成用于第一微機電系統結構的第一微機電系統圖案；經由第二介電層將第一微機電系統圖案附接至電路襯底；在第一襯底中形成用于第二微機電系統結構的第二微機電系統圖案；以及使用化學干蝕刻通過去除第一介電層的部分和第二介電層的部分來釋放第一微機電系統圖案和第二微機電系統圖案。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳理解本發明的各個方面。應該強調，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制并且僅用于說明的目的。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1A示出了根據本公開實施例的雙MEMS器件的示意性截面圖。圖1B示出了根據本公開的實施例的第一MEMS結構的平面圖，并且圖1C示出了第二MEMS結構的平面圖。

圖2示出了根據本公開實施例的雙MEMS器件的制造操作的各個階段之一的示意性截面圖。

圖3示出了根據本公開實施例的雙MEMS器件的制造操作的各個階段之一的示意性截面圖。

圖4A示出了根據本公開實施例的雙MEMS器件的制造操作的各個階段之一的示意性截面圖。圖4B示出了根據本公開的另一實施例的用于雙MEMS器件的制造操作的各個階段之一的示意性截面圖。

圖5A、圖5B和圖5C示出了根據本公開實施例的雙MEMS器件的制造操作的各個階段的示意性截面圖。

圖6示出了根據本公開實施例的雙MEMS器件的制造操作的各個階段之一的示意性截面圖。

圖7示出了根據本公開實施例的雙MEMS器件的制造操作的各個階段之一的示意性截面圖。

圖8示出了根據本公開實施例的雙MEMS器件的制造操作的各個階段之一的示意性截面圖。

圖9示出了根據本公開實施例的雙MEMS器件的制造操作的各個階段之一的示意性截面圖。

圖10示出了根據本公開的實施例的雙MEMS器件的制造操作的各個階段之一的示意性截面圖。

圖11示出了根據本公開實施例的雙MEMS器件的制造操作的各個階段之一的示意性截面圖。