[發明專利]超寬帶毫米波大功率平面薄膜負載在審
| 申請號: | 202011194387.0 | 申請日: | 2020-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN112397860A | 公開(公告)日: | 2021-02-23 |
| 發明(設計)人: | 胡順勇;黨章;劉祚麟;李凱;張能波;李博 | 申請(專利權)人: | 西南電子技術研究所(中國電子科技集團公司第十研究所) |
| 主分類號: | H01P1/26 | 分類號: | H01P1/26 |
| 代理公司: | 成飛(集團)公司專利中心 51121 | 代理人: | 郭純武 |
| 地址: | 610036 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 寬帶 毫米波 大功率 平面 薄膜 負載 | ||
1.一種超寬帶毫米波大功率平面薄膜負載,包括:設置在介質基板(4)底部的金屬地(5)和設置在介質基板(4)上的輸入電極(2),其特征在于,電阻膜采用一端與輸入電極(2)相連,另一端開路的扇形結構,輸入電極(2)通過微帶阻抗線連接扇形電阻膜,基于扇形電阻膜形成單端口薄膜電路,射頻信號從輸入微帶端口(1)饋入到輸入電極(2),通過微帶阻抗線進入扇形電阻膜范圍內,引導射頻信號從輸入電極(2)末端傳輸至扇形電阻膜開路端,實現射頻信號的超寬帶匹配與吸收。
2.根據權利要求1所述的超寬帶毫米波大功率平面薄膜負載,其特征在于:扇形電阻膜半徑長度為四分之一波導波長。
3.根據權利要求2所述的超寬帶毫米波大功率平面薄膜負載,其特征在于:輸入電極通過一段四分之一波導波長高特性阻抗線實現與扇形電阻膜的匹配。
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