[發明專利]測試結構、測試結構版圖及其形成方法和測試方法

在審

• 申請號: 202011192438.6
• 申請日: 2020-10-30
• 公開（公告）號: CN112310071A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 鄒立
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/66;G01R31/27;G01R31/28
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種測試結構版圖，其特征在于，所述測試結構版圖包括：

第一金屬測試版圖，所述第一金屬測試版圖包括多個第一金屬圖形和多個第二金屬圖形，多個所述第一金屬圖形與多個所述第二金屬圖形交錯排布；

第一接觸孔測試版圖，所述第一接觸孔測試版圖包括多個第一接觸孔圖形，多個所述第一接觸孔圖形分別對應于多個所述第一金屬圖形和多個所述第二金屬圖形上；

第二金屬測試版圖，所述第二金屬測試版圖包括多個第三金屬圖形，多個所述第三金屬圖形分別覆蓋多個所述第一接觸孔圖形；

第二接觸孔測試版圖，所述第二接觸孔測試版圖包括多個第二接觸孔圖形，多個所述第二接觸孔圖形分別對應于位于所述第一金屬圖形上的多個所述第三金屬圖形上；

第三金屬測試版圖，所述第三金屬測試版圖包括多個第四金屬圖形，一個所述第四金屬圖形覆蓋相鄰的兩個所述第二接觸孔圖形。

2.如權利要求1所述的測試結構版圖，其特征在于，所述第一金屬圖形中具有一凹口，在第一方向上相鄰的兩個所述第一金屬圖形的凹口方向相反，以及在第二方向上相鄰的兩個所述第一金屬圖形的凹口方向相同。

3.如權利要求2所述的測試結構版圖，其特征在于，所述第一金屬圖形包括一個第一子圖形和兩個第二子圖形，所述第一子圖形沿所述第一方向延伸并呈一直條狀，兩個所述第二子圖形分別設于所述第一子圖形的兩端并與所述第一子圖形連接為一體，兩個所述第二子圖形與所述第一子圖形圍成所述凹口。

4.如權利要求3所述的測試結構版圖，其特征在于，兩個所述第二子圖形互相平行并與所述第一子圖形垂直，并且所述第二子圖形沿所述第一子圖形的端部向第二方向延伸并呈一凸起狀。

5.如權利要求3所述的測試結構版圖，其特征在于，一個所述第一金屬圖形對應三個所述第一接觸孔圖形，一個所述第二金屬圖形對應一個所述第一接觸孔圖形；其中，所述第一金屬圖形的一個所述第一子圖形對應一個所述第一接觸孔圖形，所述第一金屬圖形的兩個所述第二子圖形各對應一個所述第一接觸孔圖形。

6.如權利要求5所述的測試結構版圖，其特征在于，多個所述第二接觸孔圖形分別對應于位于所述第二子圖形上的多個所述第三金屬圖形上，以及，一個所述第四金屬圖形覆蓋兩個分別位于不同的所述第一金屬圖形上的所述第二接觸孔圖形。

7.一種如權利要求1～6中任一項所述的測試結構版圖形成方法，其特征在于，包括：

提供SRAM器件原始版圖，所述SRAM器件原始版圖包括第一金屬版圖、第一接觸孔版圖、第二金屬版圖、第二接觸孔版圖以及第三金屬版圖；

獲取所述第一金屬版圖中的圖形，并修改獲取的所述第一金屬版圖中的圖形排布，以形成所述第一金屬測試版圖；

獲取所述第一接觸孔版圖中的圖形，并根據獲取的所述第一接觸孔版圖中的圖形形成所述第一接觸孔測試版圖；

獲取所述第二金屬版圖中的圖形，并根據獲取的所述第二金屬版圖中的圖形形成所述第二金屬測試版圖；

獲取所述第二接觸孔版圖中的圖形，并修改獲取的所述第二接觸孔版圖中的圖形排布，以形成所述第二接觸孔測試版圖；以及，

獲取所述第三金屬版圖中的圖形，并修改獲取的所述第三金屬版圖中的圖形排布，以形成所述第三金屬測試版圖。

8.如權利要求7所述的測試結構版圖形成方法，其特征在于，所述第一接觸孔測試版圖與所述第一接觸孔版圖相同，所述第二金屬測試版圖與所述第二金屬版圖相同。