[發明專利]新型導電膜及其制備方法和觸控屏

在審

• 申請號: 202011190342.6
• 申請日: 2020-10-30
• 公開（公告）號: CN112373141A
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發明（設計）人: 高毓康;呂敬波;胡業新;劉世琴;宋尚金
• 申請（專利權）人: 江蘇日久光電股份有限公司
• 主分類號: B32B9/00
• 分類號: B32B9/00;B32B9/04;B32B15/04;B32B15/085;B32B15/20;B32B27/06;B32B27/32;B32B27/36;B32B33/00;G06F3/041;B29D7/01
• 代理公司: 蘇州科仁專利代理事務所(特殊普通合伙) 32301
• 代理人: 郭楊

1.一種新型導電膜，包括基材層(10)、設置于所述基材層(10)的一面上能夠通過蝕刻制作觸控屏幕的屏幕功能層，其特征在于：還包括能夠通過蝕刻制作后端線路的邊框走線功能層，所述邊框走線功能層通過磁控濺射工藝鍍設在所述屏幕功能層上，所述邊框走線功能層包括邊框走線金屬層（15）。

2.根據權利要求1所述的新型導電膜，其特征在于：所述邊框走線功能層還包括通過磁控濺射工藝鍍設在所述屏幕功能層上的連接層(14)，所述邊框走線金屬層（15）鍍設在所述連接層(14)上，所述邊框走線金屬層(15)上通過磁控濺射工藝鍍設有抗氧化層(16)，所述邊框走線金屬層(15)夾設于所述連接層（14）與所述抗氧化層（16）之間。

3.根據權利要求2所述的新型導電膜，其特征在于：所述邊框走線金屬層(15)為銅層、銅合金層、銀層或銀合金層，其中，所述銀合金層中銀含量為98.5-99.5%，鈀含量為0.5-1.5%；所述連接層(14)為氧化鋁層、單質硅層、氧化硅層、氧化鈦層或者氧化鋯層，或者單質硅層以及氧化鋁層；所述抗氧化層為銅鎳鈦合金層。

4.根據權利要求3所述的新型導電膜，其特征在于：所述屏幕功能層包括通過磁控濺射工藝鍍設在所述基材層(10)一面上的打底層(12)、通過磁控濺射工藝鍍設在所述打底層(12)上的可視區觸控層(13)，所述連接層(14)通過磁控濺射工藝鍍設在所述可視區觸控層(13)上。

5.根據權利要求4所述的新型導電膜，其特征在于：所述可視區觸控層(13)為氧化銦錫層，或者氧化銦摻錳混合物層，或者氧化銦摻鈦混合物層，其中：所述氧化銦錫層中的銦錫比90：10-97：3；所述氧化銦摻錳混合物層中氧化錳的含量為2-10%，氧化銦的含量為90-98%；所述氧化銦摻鈦混合物層中氧化銦的含量為92-99%，鈦的含量為1-8%。

6.根據權利要求5所述的新型導電膜，其特征在于：所述打底層(12)為所述氧化硅層、單質硅層、氧化鋁層或者銅鎳合金層。

7.根據權利要求6所述的新型導電膜，其特征在于：所述打底層(12)的厚度為5-30nm，所述可視區觸控層(13)的厚度為5-70nm，所述連接層(14)的厚度為0.5-15nm，所述邊框走線金屬層(15)的厚度為150-400nm，所述抗氧化層(16)的厚度為5-50nm。

8.根據權利要求7所述的新型導電膜，其特征在于：所述基材層(10) 為PET層、COP層、透明PI層或者PC層，厚度為6-200μm，所述基材層(10)的另一面上貼設有PET保護膜(11)，所述抗氧化層(16)上貼設有CPP保護膜(17)。

9.一種制備權利要求1-8中任意一項所述新型導電膜的方法，其特征在于：包括以下步驟：

步驟一：在所述基材層(10)的另一面上貼覆PET保護膜(11)的步驟；

步驟二：在所述基材層(10)的一面上通過磁控濺射工藝鍍設屏幕功能層；

步驟三：進入烘箱，在120-150℃溫度下烘20-40分鐘，進行老化使其充分結晶；

步驟四：老化結晶結束后，在所述屏幕功能層上通過磁控濺射工藝鍍設邊框走線功能層;

步驟五：在所述邊框走線功能層上貼覆CPP保護膜(17)，制作完成。

10.一種利用權利要求1-8任意一項所述新型導電膜制成的觸控屏，其特征在于：包括所述基材層(10)、設置于所述基材層(10)一面上的所述觸控屏幕、圍設在所述觸控屏幕周圍用于與FPC相連接的所述后端線路，所述后端線路鍍設在所述觸控屏幕的周圍。