[發明專利]摻雜復合結構硅量子點及其制備方法和應用有效
| 申請號： | 202011189084.X | 申請日： | 2020-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN112226229B | 公開（公告）日： | 2023-01-17 |
| 發明（設計）人： | 鄭靈浪;高志飛;謝浩 | 申請（專利權）人： | 寧波革鑫新能源科技有限公司 |
| 主分類號： | C09K11/02 | 分類號： | C09K11/02;C09K11/59;B82Y20/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 深圳盛德大業知識產權代理事務所(普通合伙) 44333 | 代理人： | 左光明 |
| 地址： | 315000 浙江省寧波市*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 摻雜 復合 結構 量子 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種摻雜復合結構硅量子點的制備方法，包括如下步驟：
將硅的無機氧化物粉體和硼粉體在含有還原性氣體的環境中進行等離子處理，將部分所述硅的無機氧化物還原反應，然后冷卻處理，生成摻雜復合結構硅量子點；其中，所述還原反應的產物含有單質硅。
2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，將硅的無機氧化物和硼粉體在含有還原性氣體的環境中進行等離子處理的方法包括如下步驟：
將硅的無機氧化物粉體和硼粉體通過輸送氣流輸送至等離子腔室內進行等離子處理；其中，所述輸送氣流含有所述還原性氣體，所述輸送氣流為惰性氣體。
3.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于：所述輸送氣流的流速為1-6SLPM；和/或
所述硅的無機氧化物粉體和硼粉體被所述輸送氣流輸送的總速率為60-500g/hr；和/或
所述還原性氣體在所述輸送氣流中的體積含量為0.1-2％。
4.如權利要求1-3任一項所述的制備方法，其特征在于：所述等離子處理的等離子體氣體為氬氣，流速為10-40SLPM；和/或
所述等離子處理的等離子體鞘氣為氬氣和氫氣，其中，所述氬氣的流速為30-60SLPM，所述氫氣的流速為0.5-3SLPM；和/或
所述硅的無機氧化物粉體和硼粉體是按照重量比為(50-1):1的比例，在含有所述還原性氣體的環境中進行所述等離子處理。
5.如權利要求1-3任一項所述的制備方法，其特征在于：所述冷卻處理是向所述還原反應結束后的環境中通入冷卻惰性氣體。
6.如權利要求1-3任一項所述的制備方法，其特征在于：所述硅的無機氧化物粉體包括石英砂、二氧化硅、氧化亞硅中的至少一種粉體；和/或
所述硅的無機氧化物粉體和/或所述硼粉體的平均粒徑為0.1-10μm。
7.如權利要求1-3任一項所述的制備方法，其特征在于：待所述冷卻處理的步驟之后，還包括將生成的所述摻雜復合結構硅量子點進行后處理的步驟：
將生成的所述摻雜復合結構硅量子點在保護氣氛中進行熱氧化處理。
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