[發明專利]在晶圓測試過程中檢測電子位圖中坐標偏移的方法在審
| 申請號: | 202011186921.3 | 申請日: | 2020-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN112530823A | 公開(公告)日: | 2021-03-19 |
| 發明(設計)人: | 宋長宇;王天平 | 申請(專利權)人: | 普冉半導體(上海)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G01R31/28 |
| 代理公司: | 上海元好知識產權代理有限公司 31323 | 代理人: | 張妍;周乃鑫 |
| 地址: | 201210 上海市浦東新*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 測試 過程 檢測 電子 位圖 坐標 偏移 方法 | ||
1.一種在晶圓測試過程中檢測電子位圖中坐標偏移的方法,其特征在于,包含以下步驟:依次對晶圓上的待測芯片進行多道晶圓測試,將每道晶圓測試后產生的所有電子位圖疊加形成一張疊加電子位圖,所述疊加電子位圖上的疊加測試結果按照測試先后順序顯示了所述晶圓上的每個待測芯片的每道測試結果,自動統計疊加電子位圖上的疊加測試結果,當疊加測試結果中顯示至少一個芯片的前道測試結果為不良品,而后道測試結果為良品,和/或當疊加測試結果中顯示了至少一道測試結果,同時至少一個芯片缺少了至少一道測試結果,則判斷電子位圖出現了坐標偏移。
2.如權利要求1所述的在晶圓測試過程中檢測電子位圖中坐標偏移的方法,其特征在于,只有在前道晶圓測試中顯示為良品的芯片,才能夠進行下道晶圓測試。
3.如權利要求1所述的在晶圓測試過程中檢測電子位圖中坐標偏移的方法,其特征在于,當疊加測試結果中顯示所有芯片的每道測試結果完全一致,則判斷某道晶圓測試程序出現錯誤。
4.如權利要求1所述的在晶圓測試過程中檢測電子位圖中坐標偏移的方法,其特征在于,根據預先設定的測試模板所規定的測試范圍進行晶圓測試:位于測試模板范圍內的芯片允許被進行晶圓測試,獲得測試結果,位于測試模板范圍外的芯片不允許被進行晶圓測試,無法獲得測試結果。
5.如權利要求1所述的在晶圓測試過程中檢測電子位圖中坐標偏移的方法,其特征在于,只有疊加測試結果中顯示某個芯片的所有測試結果都為良品,才能判斷該芯片確為良品。
6.如權利要求1所述的在晶圓測試過程中檢測電子位圖中坐標偏移的方法,其特征在于,只要疊加測試結果中顯示某個芯片的某道測試結果為不良品,就判斷該芯片為不良品。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于普冉半導體(上海)股份有限公司,未經普冉半導體(上海)股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011186921.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種服務器中低成本防燒板保護方法及裝置
- 下一篇:一種智慧城市公園照明裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





