[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件及其加工方法、晶圓的處理方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011181876.2
• 申請(qǐng)日: 2020-10-29
• 公開（公告）號(hào): CN114429897A
• 公開（公告）日: 2022-05-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尹炅一;吳容哲;高建峰;張?jiān)?/a>;劉衛(wèi)兵
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所;真芯（北京）半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 北京辰權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11619
• 代理人: 劉廣達(dá)

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

晶圓，具有正面、背面及側(cè)面；

所述正面和所述背面分別處于晶圓的兩側(cè)；

所述側(cè)面具有弧形延展部和豎直延展部，所述弧形延展部自所述正面延伸出，所述豎直延展部垂直于所述正面和所述背面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述弧形延展部，在晶圓縱截面上形成圓弧，圓弧的長(zhǎng)度小于晶圓的厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述正面和/或所述背面上形成有電路圖案。

4.一種半導(dǎo)體器件的加工方法，其特征在于，包括：

執(zhí)行晶圓處理工藝，以在所述晶圓上形成電路圖案；

對(duì)晶圓邊緣進(jìn)行至少一次研磨處理，以使晶圓的側(cè)面具有弧形延展部和豎直延展部，所述弧形延展部自晶圓的正面和背面延伸出，所述豎直延展部垂直于所述正面和所述背面；

對(duì)晶圓背面進(jìn)行至少一次研磨處理，以使晶圓的厚度減小至待形成的裸片的厚度。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的加工方法，其特征在于，所述對(duì)晶圓邊緣進(jìn)行至少一次研磨處理，以使晶圓的側(cè)面具有弧形延展部和豎直延展部包括：

通過研磨所述晶圓邊緣的方式在晶圓的側(cè)面形成弧形延展部和豎直延展部，并研磨至弧形延展部在晶圓縱截面上形成圓弧的長(zhǎng)度小于待形成的裸片的厚度時(shí)停止。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的加工方法，其特征在于，在形成弧形延展部和豎直延展部后還包括：

繼續(xù)對(duì)晶圓的邊緣進(jìn)行研磨，以去掉所述弧形延展部。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的加工方法，其特征在于，所述對(duì)晶圓邊緣進(jìn)行至少一次研磨處理包括：

對(duì)所述晶圓邊緣進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨處理。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的加工方法，其特征在于，

在后道工序中對(duì)晶圓背面進(jìn)行至少一次研磨處理。

9.一種晶圓的處理方法，其特征在于，包括權(quán)利要求4至8中任一權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體器件的加工方法。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶圓的處理方法，其特征在于，還包括：

晶體生長(zhǎng)工藝、整形工藝、切片工藝、磨片倒角工藝、刻蝕工藝、拋光工藝、清洗工藝以及在清洗工藝后進(jìn)行對(duì)得到的晶圓進(jìn)行檢查。