[發(fā)明專利]一種大功率高壓肖特基勢(shì)壘二極管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011181382.4
• 申請(qǐng)日: 2020-10-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112289867B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬文力;李浩;徐婷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 揚(yáng)州國(guó)宇電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/872
• 分類號(hào): H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06
• 代理公司: 南京源點(diǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32545
• 代理人: 羅超

1.一種大功率高壓肖特基勢(shì)壘二極管，其特征在于，包括：

背面金屬層；

N+襯底，所述N+襯底設(shè)置于所述背面金屬層上方；

N外延層，所述N外延層設(shè)置于所述N+襯底上方，所述N外延層上部設(shè)置有重?fù)诫s陽(yáng)極區(qū)，所述N外延層上還設(shè)置有P+保護(hù)環(huán)，所述保護(hù)環(huán)環(huán)繞設(shè)置于所述重?fù)诫s陽(yáng)極區(qū)四周，所述保護(hù)環(huán)環(huán)繞圍成的區(qū)域?yàn)橛性磪^(qū)，所述有源區(qū)呈矩形，所述有源區(qū)拐角處呈圓弧形，所述重?fù)诫s陽(yáng)極區(qū)設(shè)置有四塊且分布于所述有源區(qū)拐角處，所述重?fù)诫s陽(yáng)極區(qū)呈扇形且半徑大于所述有源區(qū)拐角處圓弧形的半徑；

金屬硅化物層，所述金屬硅化物層設(shè)置于所述N外延層上方，所述金屬硅化物層與所述重?fù)诫s陽(yáng)極區(qū)接觸；

正面金屬層，所述正面金屬層設(shè)置于所述金屬硅化物層上方且覆蓋所述金屬硅化物層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管，其特征在于：所述N外延層上表面開(kāi)設(shè)有溝槽，所述重?fù)诫s陽(yáng)極區(qū)設(shè)置于所述溝槽底部。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管，其特征在于：重?fù)诫s陽(yáng)極區(qū)摻雜劑量范圍為3e¹⁴/cm²～3e¹⁶/cm²。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的二極管，其特征在于：重?fù)诫s陽(yáng)極區(qū)摻雜劑量范圍為1e¹⁵/cm²～1e¹⁶/cm²。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管，其特征在于：所述保護(hù)環(huán)的摻雜劑量不高于所述重?fù)诫s陽(yáng)極區(qū)的摻雜劑量。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管，其特征在于：所述保護(hù)環(huán)與所述正面金屬層之間設(shè)置有薄氧層，所述N外延層上表面四周設(shè)置有場(chǎng)氧層。