[發明專利]一種高電導率雙壁碳納米管薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 202011181273.2
• 申請日: 2020-10-29
• 公開（公告）號: CN112279238B
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發明（設計）人: 沈健民;王博;曾培源;李建穩
• 申請（專利權）人: 南京源昌新材料有限公司
• 主分類號: C01B32/16
• 分類號: C01B32/16
• 代理公司: 北京方圓嘉禾知識產權代理有限公司 11385
• 代理人: 崔玥

1.一種高電導率雙壁碳納米管薄膜的制備方法，其中碳納米管薄膜由雙壁碳納米管組成，其特征在于：該高電導率雙壁碳納米管薄膜的制備方法包括以下步驟：

S1混合攪拌：向燒杯中分別加入碳源、催化劑和促進劑，充分攪拌至完全溶解；

S2升溫通氣：將臥式高溫管式爐升溫，同時向其中和收集箱體內通入惰性氣體，待管式高溫爐升至1350-1500℃后再向體系內通入氫氣；

S3制管：將步驟S1中配置的溶液注入霧化器中，將溶液霧化形成大小均勻的微小液滴，調節氫氣流量，以恒定流速將小液滴帶入步驟S2中的管式爐內，后得到桶狀雙壁碳納米管氣凝膠；

S4制膜：將S3中制得的桶狀雙壁碳納米管氣凝膠收集到來回水平移動并旋轉的輥筒上，待氣凝膠厚度達到6～15cm時，將其從輥筒上取下并輥壓，即可獲得高電導率雙壁碳納米管薄膜；

所述步驟S1中碳源、催化劑和促進劑的質量比為(95.2～97.4):(2.4～3.8):(0.2～1)。

2.根據權利要求1所述的一種高電導率雙壁碳納米管薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟S1中的碳源為甲醇、乙醇、異丙醇、甘露醇、丙酮、苯、甲苯中的一種或多種的組合。

3.根據權利要求1所述的一種高電導率雙壁碳納米管薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟S1中的催化劑為鐵、鈷和鎳的環戊二烯基化合物、乙酰丙酮化合物、硝酸鹽、氯化物以及醋酸鹽、草酸鹽中的一種或多種的組合。

4.根據權利要求1所述的一種高電導率雙壁碳納米管薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟S1中的促進劑為噻吩、噻吩-α-磺酰胺、硫粉、乙硫醇、二硫化碳、硫脲、2-巰基吡啶、硫代乙酰胺中的一種或多種的組合。

5.根據權利要求1所述的一種高電導率雙壁碳納米管薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟S2中惰性氣體通入速度為1-2L/min，氫氣的通入速度為1-20L/min。