[發明專利]具有堆疊到襯底連接的高密度柱互連轉換

在審

• 申請號: 202011180855.9
• 申請日: 2020-10-29
• 公開（公告）號: CN112786528A
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: O·R·費伊;K·K·柯比;A·N·辛格
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L25/065
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請涉及具有堆疊到襯底連接的高密度柱互連轉換。一種半導體裝置組合件可以包含第一半導體裝置和中介層。所述中介層可以包含襯底和通孔，其中各個通孔包含暴露部分和嵌入部分，所述暴露部分從所述襯底的第一表面和第二表面中的一者或兩者突出，并且所述嵌入部分延伸穿過所述襯底的至少一部分。所述中介層可以包含一或多個測試焊盤、第一電觸點和第二電觸點。所述半導體裝置組合件可以包含控制器，所述控制器位于所述中介層的與所述第一半導體裝置相對的一側上，并且通過與所述第二電觸點的連接可操作地耦合到所述中介層。

技術領域

本文描述的實施例涉及半導體裝置、半導體裝置組合件以及提供此類半導體裝置和 半導體裝置組合件的方法。

背景技術

半導體裝置組合件包含但不限于存儲器芯片、微處理器芯片、成像芯片等，通常包含具有安裝在襯底上的管芯的半導體裝置。半導體裝置可以包含各種功能部件，例如存 儲器單元、處理器電路和成像裝置，以及電連接到這些功能部件的接合焊盤。半導體裝 置組合件可以包含堆疊在一起并且通過封裝內的相鄰裝置之間的各個互連件彼此電連 接的多個半導體裝置。

可以采用各種方法和/或技術對半導體裝置組合件中相鄰的半導體裝置和/或襯底進 行電互連。例如，可以通過回流錫銀(SnAg)(也稱為焊料)來形成各個互連件，以將柱連 接到焊盤。通常，柱可以從半導體裝置的底表面向下延伸到形成在另一半導體裝置或襯底的頂表面的焊盤。焊球的柵格陣列可用于將半導體裝置組合件連接到電路板或其它外部裝置。

發明內容

本申請的一個方面涉及一種半導體裝置組合件，其包括：第一半導體裝置，其包括管芯堆疊和從所述管芯堆疊突出的電連接器；中介層，其包括—襯底，其具有面向所述 第一半導體裝置的第一表面和與所述第一表面相對的第二表面；通孔，其中各個通孔包 含暴露部分和嵌入部分，所述暴露部分從所述襯底的所述第一表面和所述第二表面中的 一者或兩者突出，并且所述嵌入部分延伸穿過所述第一表面與所述第二表面之間的所述 襯底的至少一部分；位于所述襯底的所述第一表面和所述第二表面中的一者或兩者的一 或多個測試焊盤；第一電觸點，其位于所述襯底的所述第一表面并且通過所述電連接器 可操作地耦合到所述第一半導體裝置；以及位于所述襯底的所述第二表面的第二電觸 點；以及控制器，其位于所述中介層的與所述第一半導體裝置相對的一側上，并且通過 到所述第二電觸點的連接可操作地耦合到所述中介層。

本申請的另一方面涉及一種半導體裝置組合件，其包括：管芯的存儲器堆疊；襯底， 其包括—面向所述管芯的存儲器堆疊的第一側；與所述管芯的存儲器堆疊相對的第二側；位于所述襯底的所述第一側的第一組觸點；位于所述襯底的所述第二側的第二組觸點；位于所述第一側的第一測試焊盤；第二測試焊盤，其位于所述襯底的所述第一側并 且在所述管芯的存儲器堆疊的與所述第一測試焊盤相對的側上；第一暴露通孔，其從所 述襯底的所述第二側突出并且延伸穿過所述第一側與所述第二側之間的所述襯底的至 少一部分；以及第二暴露通孔，其從所述襯底的所述第二側突出并且延伸穿過所述第一 側與所述第二側之間的所述襯底的至少一部分；以及控制器，其可操作地連接到所述襯 底的所述第二側并且在所述第一暴露通孔與所述第二暴露通孔之間。

本申請的另一方面涉及一種組裝半導體裝置組合件的方法，所述方法包括：提供襯 底，所述襯底具有—第一表面；與所述第一表面相對的第二表面；通孔，其延伸到所述襯底中并且從所述襯底的所述第二表面突出；位于所述第一表面的第一觸點；位于所述 第二表面的第二觸點；以及位于所述第一表面和所述第二表面中的一者或兩者的至少一 個測試焊盤；可操作地將管芯的存儲器堆疊耦合到所述第一觸點；以及可操作地將控制 器耦合到所述第二觸點；其中至少一個通孔在垂直于所述襯底的所述第二表面且遠離所 述管芯的存儲器堆疊的方向上突出于所述控制器之外。

附圖說明

圖1是半導體裝置組合件的實施例的截面示意圖。

圖2是半導體裝置組合件的實施例的截面示意圖。

圖3是半導體裝置組合件的實施例的截面示意圖。