[發(fā)明專利]集成鉑溫度傳感器的全控型電力電子器件及結(jié)溫測量方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011179652.8
• 申請日: 2020-10-29
• 公開（公告）號: CN112327127A
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田鴻昌;李賓賓;婁彥濤;任軍輝
• 申請（專利權(quán)）人: 西安西電電力系統(tǒng)有限公司;中國西電電氣股份有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;G01K7/18
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 薛平;周曉飛

1.一種集成鉑溫度傳感器的全控型電力電子器件，其特征在于，包括：

全控型電力電子器件、設(shè)于全控型電力電子器件表面結(jié)發(fā)熱處的鉑溫度傳感器，其中，所述鉑溫度傳感器的第一電極連接點靠近全控型電力電子器件的第一極，所述鉑溫度傳感器的第二電極連接點靠近全控型電力電子器件的第二極。

2.如權(quán)利要求1所述的集成鉑溫度傳感器的全控型電力電子器件，其特征在于，所述全控型電力電子器件為絕緣柵雙極型晶體管器件或金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管器件。

3.如權(quán)利要求2所述的集成鉑溫度傳感器的全控型電力電子器件，其特征在于，在全控型電力電子器件為絕緣柵雙極型晶體管器件時，所述全控型電力電子器件表面結(jié)發(fā)熱處為絕緣柵雙極型晶體管器件的門極與發(fā)射極之間，所述第一極為門極，所述第二極為發(fā)射極；

在全控型電力電子器件為金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管器件時，所述全控型電力電子器件表面結(jié)發(fā)熱處為金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管器件的柵極與源極之間，所述第一極為柵極，所述第二極為源極。

4.如權(quán)利要求1所述的集成鉑溫度傳感器的全控型電力電子器件，其特征在于，所述鉑溫度傳感器是采用金屬濺射工藝制造出的。

5.如權(quán)利要求1所述的集成鉑溫度傳感器的全控型電力電子器件，其特征在于，所述鉑溫度傳感器為重復(fù)S形結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求1所述的集成鉑溫度傳感器的全控型電力電子器件，其特征在于，所述鉑溫度傳感器的鉑金屬薄膜厚度范圍為[10納米,1微米]。

7.如權(quán)利要求1所述的集成鉑溫度傳感器的全控型電力電子器件，其特征在于，所述鉑溫度傳感器的面積范圍為[0.01平方毫米,1平方毫米]。

8.一種集成鉑溫度傳感器的全控型電力電子器件的結(jié)溫測量方法，其特征在于，應(yīng)用于權(quán)利要求1至7任一項所述的集成鉑溫度傳感器的全控型電力電子器件，包括：

在鉑溫度傳感器上施加設(shè)定數(shù)值的電流；

測量流過鉑溫度傳感器兩端的電壓，獲得鉑溫度傳感器兩端電壓測量值；

根據(jù)鉑溫度傳感器兩端電壓測量值，計算獲得全控型電力電子器件工作時的結(jié)溫值。

9.如權(quán)利要求8所述的集成鉑溫度傳感器的全控型電力電子器件的結(jié)溫測量方法，其特征在于，采用如下公式，根據(jù)鉑溫度傳感器兩端電壓測量值，計算獲得全控型電力電子器件工作時的結(jié)溫值：

T_j＝T₀+(U_j-U₀)/U_S

其中，T_j為全控型電力電子器件工作時的結(jié)溫值，T₀為全控型電力電子器件的初始結(jié)溫值，U_j為鉑溫度傳感器兩端電壓測量值，U₀為鉑溫度傳感器兩端電壓的初始值，U_S為結(jié)溫上升每單位數(shù)值時鉑溫度傳感器電壓增大數(shù)值。

10.一種計算機(jī)設(shè)備，包括存儲器、處理器及存儲在存儲器上并可在處理器上運行的計算機(jī)程序，其特征在于，所述處理器執(zhí)行所述計算機(jī)程序時實現(xiàn)權(quán)利要求8至9任一項所述方法。

11.一種計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其特征在于，所述計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)存儲有執(zhí)行權(quán)利要求8至9任一項所述方法的計算機(jī)程序。