[發明專利]數據儲存裝置以及非揮發式存儲器控制方法

在審

• 申請號: 202011173409.5
• 申請日: 2020-10-28
• 公開（公告）號: CN112885397A
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 鐘育祥
• 申請（專利權）人: 慧榮科技股份有限公司
• 主分類號: G11C29/00
• 分類號: G11C29/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳亮

本發明涉及數據儲存裝置的高效修整對應的復電技術。該控制器根據一程序化順序掃描該非揮發式存儲器，收集一串修整資訊旗標，據以解讀自該非揮發式存儲器掃描出的一串儲存資訊為邏輯地址、或是修整代號。解讀出的邏輯地址用于重建一主機?裝置映射表。解讀出的修整代號用于判斷該非揮發式存儲器相應儲存空間是儲存中等長度、或大量修整的資訊。根據中等長度修整的資訊，虛置映射數據填入該主機?裝置映射表。根據大量修整的資訊，一修整位元總表重建，該修整位元總表各位元對應一第一長度的修整。

技術領域

本發明有關于數據儲存裝置的修整(trimming)技術。

背景技術

非揮發式存儲器有多種形式─例如，快閃存儲器(flash memory)、磁阻式隨機存取存儲器(Magnetoresistive RAM)、鐵電隨機存取存儲器(Ferroelectric RAM)、電阻式隨機存取存儲器(Resistive RAM)、自旋轉移力矩隨機存取存儲器(Spin Transfer Torque-RAM，STT-RAM)…等，用于長時間數據保存，可做為儲存媒體實現一數據儲存裝置。

非揮發式存儲器通常有其特殊的儲存特性。本技術領域需要相應非揮發式存儲器的儲存特性發展相應的控制技術。例如，符合非揮發式存儲器儲存特性的修整(trimming)技術。

發明內容

本發明相應一種高效修整技術，提出一種復電技術。

根據本發明一種實施方式實現的一數據儲存裝置包括一非揮發式存儲器、以及耦接該非揮發式存儲器的一控制器以及一暫存存儲器。該控制器是建構來在該暫存存儲器上重建該非揮發式存儲器的修整狀況。該控制器根據一程序化順序掃描該非揮發式存儲器，收集一串修整資訊旗標，據以解讀自該非揮發式存儲器掃描出的一串儲存資訊為邏輯地址、或是修整代號。該控制器根據解讀出的邏輯地址重建一主機-裝置映射表。該控制器根據解讀出的修整代號，判斷該非揮發式存儲器相應儲存空間是儲存中等長度修整的資訊、或大量修整的資訊。根據中等長度修整的資訊，該控制器將虛置映射數據填入該主機-裝置映射表。根據大量修整的資訊，該控制器重建一修整位元總表，該修整位元總表各位元對應一第一長度的修整。

一種實施方式中，一筆中等長度修整不超過該第一長度，且對齊一第二長度的分界。一筆中等長度修整的資訊包括該筆中等長度修整的起始邏輯地址以及長度。上述修整代號為一中等長度修整代號時，該控制器判斷該非揮發式存儲器相應儲存空間是儲存一筆中等長度修整的起始邏輯地址以及長度。

一種實施方式中，一筆大量修整對齊該第一長度的分界、且為該第一長度的N倍，對應該修整位元總表的N個位元，N為正整數。該修整位元總表包括多個修整位元子表。上述N個位元對應到該等修整位元子表其中M個修整位元子表，M為正整數。該筆大量修整的資訊包括上述M個修整位元子表。上述修整代號為上述M個修整位元子表的M個子表編號時，該控制器判斷該非揮發式存儲器相應儲存空間是儲存上述M個修整位元子表。

一種實施方式中，該主機-裝置映射表包括多個映射子表。各映射子表以該第二長度為單位，管理該第一長度的邏輯地址區間的映射數據。

以上控制該非揮發式存儲器的控制器也可以由其他架構實現。本發明還可以前述概念實現非揮發式存儲器的控制方法。

下文特舉實施例，并配合附圖，詳細說明本發明內容。

附圖說明

圖1圖解快閃存儲器中區塊Blk的結構；

圖2圖解根據本發明一種實施方式所實現的一數據儲存裝置200；

圖3圖解修整的分類；

圖4圖解首位少量修整(302)，其中修整邏輯區塊地址LBA 5～LBA 7；

圖5圖解首位中等長度修整(304)，其中修整邏輯區塊地址LBA 8～LBA 4095；