[發(fā)明專利]顯示面板、顯示裝置和顯示面板的制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011165747.4 | 申請日: | 2020-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN112366279A | 公開(公告)日: | 2021-02-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 繆康健;許名宏 | 申請(專利權(quán))人: | 合肥京東方卓印科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人: | 金俊姬 |
| 地址: | 230012 安徽省合肥市新*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 制作方法 | ||
1.一種顯示面板,其中,包括:
襯底基板;
像素界定層,所述像素界定層包括多個開口區(qū),以及包圍所述開口區(qū)的堤壩;
發(fā)光部,所述發(fā)光部位于所述開口區(qū);
電極層,所述電極層位于所述發(fā)光部的背離所述襯底基板的一側(cè),包括位于所述開口區(qū)的第一部,以及位于所述堤壩所在區(qū)域的第二部,以及連接所述第一部和所述第二部的第三部;
金屬排斥部,所述金屬排斥部位于所述電極層的背離所述襯底基板的一側(cè),且位于所述開口區(qū);
輔助電極層,所述輔助電極層位于所述像素界定層的背離所述襯底基板的一側(cè),包括位于所述堤壩所在區(qū)域的輔助電極部,所述輔助電極部與所述電極層的所述第二部接觸,所述金屬排斥部的材料與所述輔助電極層的材料相互排斥,以使所述輔助電極層在所述金屬排斥部所在區(qū)域以外的區(qū)域成膜。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其中,所述金屬排斥部的材料為8-羥基喹啉鋰。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示面板,其中,所述輔助電極層的材料為金屬鎂。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其中,所述堤壩在垂直于所述襯底基板方向上的高度,大于所述電極層的背離所述發(fā)光部的表面距所述襯底基板的距離。
5.如權(quán)利要求4所述的顯示面板,其中,所述輔助電極層還包括由所述輔助電極部延伸出且覆蓋所述第三部的延伸部。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其中,所述金屬排斥部在垂直于所述襯底基板方向上的厚度為1nm~500nm。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示面板,其中,所述輔助電極部在垂直于所述襯底基板方向上的厚度為1nm~500nm。
8.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其中,所述電極層的材料為鎂銀、氧化銦錫、或氧化鋅錫。
9.一種顯示裝置,其中,包括如權(quán)利要求1-8任一項所述的顯示面板。
10.一種顯示面板的制作方法,其中,包括:
提供一襯底基板;
在所述襯底基板的一側(cè)形成像素界定層,其中,所述像素界定層包括多個開口區(qū),以及包圍所述開口區(qū)的堤壩;
在所述像素界定層的所述開口區(qū)形成發(fā)光部;
在所述發(fā)光部背離所述襯底基板的一側(cè)形成電極層;
在所述電極層背離所述發(fā)光部一側(cè)的所述開口區(qū)形成金屬排斥部;
在所述像素界定層背離所述襯底基板一側(cè)形成輔助電極層,以通過所述金屬排斥部材料的排斥,在所述堤壩所在區(qū)域形成輔助電極部。
11.如權(quán)利要求10所述的制作方法,其中,所述在所述電極層背離所述發(fā)光部一側(cè)的所述開口區(qū)形成金屬排斥部,包括:
通過噴墨打印工藝,在所述電極層背離所述發(fā)光部一側(cè)的所述開口區(qū)形成金屬排斥部。
12.如權(quán)利要求11所述的制作方法,其中,所述在所述像素界定層背離所述襯底基板一側(cè)形成輔助電極層,包括:
采用全開口掩膜板,在所述金屬排斥部的背離所述電極層的一側(cè)蒸鍍輔助電極層。
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