[發明專利]一種鋁基復合材料電子封裝外殼的鍍覆方法

在審

• 申請號: 202011165035.2
• 申請日: 2020-10-27
• 公開（公告）號: CN112239867A
• 公開（公告）日: 2021-01-19
• 發明（設計）人: 徐東升;于辰偉;趙飛;黃志剛;楊磊
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十三研究所
• 主分類號: C23C28/02
• 分類號: C23C28/02;C23C18/32;C23C18/18;C25D5/12;C25D3/12;C25D3/48
• 代理公司: 合肥天明專利事務所(普通合伙) 34115
• 代理人: 周靜

1.一種鋁基復合材料電子封裝外殼的鍍覆方法，其特征在于：步驟如下：

第一次活化：將鋁基復合材料浸入含鈀活化液中，在45～65℃中浸泡1～5分鐘，取出后沖洗，在鋁基復合材料的表面形成第一鈀原子活化層；

化學鍍鎳磷：將經過第一次活化的鋁基復合材料浸入鎳磷鍍液中，溫度為86-92℃，在第一鈀原子活化層的外側形成鎳磷化學鎳鍍層；

第二次活化：將化學鍍鎳磷后的鋁基復合材料再次浸入含鈀活化液中，在45～65℃中浸泡1～5分鐘，取出后沖洗，在鎳磷化學鎳鍍層的外側形成第二鈀原子活化層；

化學鍍鎳硼：將經過第二次活化的鋁基復合材料浸入鎳硼鍍液中，溫度為60-70℃，在第二鈀原子活化層的外側形成鎳硼化學鎳鍍層；

電鍍鎳：對經過化學鍍鎳硼的鋁基復合材料進行電鍍鎳，在鎳硼化學鎳鍍層的外側形成電鍍鎳層；

電鍍金：將經過電鍍鎳的鋁基復合材料進行電鍍金，在電鍍鎳層的外側形成電鍍金層。

2.根據權利要求1所述的鍍覆方法，其特征在于：第一次活化、第二次活化步驟中，所述含鈀活化液中包含氯化鈀、鹽酸和氯化銨，其中：氯化鈀的濃度為0.05～0.5g/L，鹽酸的濃度為2～10ml/L，氯化銨的濃度為0.5～3g/L。

3.根據權利要求1所述的鍍覆方法，其特征在于：所述第一鈀原子活化層的厚度為0.01～0.05μm。

4.根據權利要求1所述的鍍覆方法，其特征在于：化學鍍鎳磷步驟中，鎳磷化學鎳鍍層的厚度為2.5～15μm，鎳磷化學鎳鍍層中磷的質量含量為10～13％。

5.根據權利要求1所述的鍍覆方法，其特征在于：第二次活化步驟中，第二鈀原子活化層的厚度為0.01～0.05μm。

6.根據權利要求1所述的鍍覆方法，其特征在于：化學鍍鎳硼步驟中，鎳硼化學鎳鍍層的厚度為2.5～15μm，鎳硼化學鎳鍍層中硼的質量含量0.1～1％。

7.根據權利要求1所述的鍍覆方法，其特征在于：電鍍鎳步驟中，電鍍鎳的電流密度為0.5～2A/dm²，溫度為35～55℃；電鍍鎳層的厚度為2.5～15μm。

8.根據權利要求1所述的鍍覆方法，其特征在于：電鍍金步驟中，電鍍金的電流密為度0.1～0.6A/dm²，溫度為50～70℃；電鍍金層的厚度為1.3～5.7μm。