[發明專利]發光裝置、投影儀以及顯示器

有效

• 申請號: 202011161572.X
• 申請日: 2020-10-27
• 公開（公告）號: CN112750930B
• 公開（公告）日: 2023-06-30
• 發明（設計）人: 次六寬明;岸野克巳
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社;學校法人上智學院
• 主分類號: H01L33/24
• 分類號: H01L33/24;H01L33/38;H01L33/00;G03B21/20
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 鄧毅;黃綸偉

提供發光裝置、投影儀以及顯示器，能夠降低由電極引起的光的損失并且能夠提高光的取出效率。發光裝置具有：基體；以及層疊體，其設置于基體，具有多個柱狀部，柱狀部具有：第1半導體層；第2半導體層，其導電類型與第1半導體層不同；以及發光層，其設置在所述第1半導體層與所述第2半導體層之間，所述層疊體具有第3半導體層，該第3半導體層連接在所述第2半導體層的與所述基體相反的一側并且導電類型與所述第2半導體層相同，所述第2半導體層設置在所述發光層與所述第3半導體層之間，在所述第3半導體層設置有凹部，在所述第3半導體層的與所述基體側相反的一側的面設置有所述凹部的開口，所述凹部的底的直徑比所述凹部的開口的直徑小。

技術領域

本發明涉及發光裝置、投影儀以及顯示器。

背景技術

半導體激光器被期待作為高亮度的下一代光源。特別是，可期待具有被稱為納米柱(nanocolumn)、納米線(nanowire)、納米棒(nanorod)、納米支柱(nanopillar)等納米構造的半導體激光器能夠實現通過光子晶體效果以狹放射角獲得高輸出的發光的發光裝置。

例如，在專利文獻1中公開了一種發光二極管，其通過在硅基板上形成n型GaN納米柱層和發光層并且一邊擴大納米柱直徑一邊使p型GaN接觸層外延生長然后形成半透明的p型電極而成，其中，在n型GaN納米柱層上設置由多重量子阱結構或雙異質結構實現的吸收/再發光層，提高了光取出效率。

專利文獻1：日本特開2007-49062號公報

在具有如上所述的納米柱的發光裝置中，需要根據發光層的材料或基板的材料來考慮晶格匹配等條件，材料的選擇被大幅限制。因此，難以取得活性層與覆蓋層的折射率之差，例如在活性層中產生的光向電極側泄漏而在電極中被吸收而成為損失。另外，在這樣的發光裝置中，如專利文獻1所公開的那樣，要求提高光取出效率。

發明內容

本發明的發光裝置的一個方式具有：基體；以及層疊體，其設置于所述基體，具有多個柱狀部，所述柱狀部具有：第1半導體層；第2半導體層，其導電類型與所述第1半導體層不同；以及發光層，其設置在所述第1半導體層與所述第2半導體層之間，所述層疊體具有第3半導體層，該第3半導體層連接在所述第2半導體層的與所述基體相反的一側并且導電類型與所述第2半導體層相同，所述第2半導體層設置在所述發光層與所述第3半導體層之間，在所述第3半導體層設置有凹部，在所述第3半導體層的與所述基體側相反的一側的面上設置有所述凹部的開口，所述凹部的底的直徑比所述凹部的開口的直徑小。

在所述發光裝置的一個方式中，也可以是，在所述層疊體的與所述基體側相反的一側設置有電極。

在所述發光裝置的一個方式中，也可以是，從所述層疊體的層疊方向觀察時，在所述電極的與所述凹部重疊的位置設置有貫通所述電極的貫通孔。

在所述發光裝置的一個方式中，也可以是，設置有多個所述凹部，多個所述柱狀部在第1方向上以第1間距排列，多個所述凹部在第2方向上以第2間距排列，所述第1方向是所述柱狀部以最短的間距排列的方向，所述第2方向是所述凹部以最短的間距排列的方向，所述第2間距小于所述第1間距。

在所述發光裝置的一個方式中，也可以是，所述凹部的開口的直徑比所述柱狀部的直徑小。

在所述發光裝置的一個方式中，也可以是，所述凹部的形狀為圓錐或棱錐。

在所述發光裝置的一個方式中，也可以是，所述凹部的直徑隨著從所述凹部的開口朝向所述凹部的底而變小。

本發明的投影儀的一個方式具有所述發光裝置。

本發明的顯示器的一個方式具有所述發光裝置。

附圖說明

圖1是示意性地示出第1實施方式的發光裝置的剖視圖。

圖2是示意性地示出第1實施方式的發光裝置的俯視圖。