[發明專利]發光裝置、投影儀以及顯示器

有效

• 申請號: 202011161572.X
• 申請日: 2020-10-27
• 公開（公告）號: CN112750930B
• 公開（公告）日: 2023-06-30
• 發明（設計）人: 次六寬明;岸野克巳
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社;學校法人上智學院
• 主分類號: H01L33/24
• 分類號: H01L33/24;H01L33/38;H01L33/00;G03B21/20
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 鄧毅;黃綸偉

1.一種發光裝置，其具有：

基體；以及

層疊體，其設置于所述基體，具有多個柱狀部，

所述多個柱狀部各自具有：

第1半導體層；

第2半導體層，其導電類型與所述第1半導體層不同；以及

發光層，其設置在所述第1半導體層與所述第2半導體層之間，發出光，

所述第1半導體層與所述第2半導體層是將所述光封閉于所述發光層的覆蓋層，

所述層疊體具有第3半導體層，該第3半導體層連接在所述第2半導體層的與所述基體相反的一側并且導電類型與所述第2半導體層相同，

所述第2半導體層設置在所述發光層與所述第3半導體層之間，

在所述第3半導體層設置有凹部，并且所述第3半導體層是接觸層，

在所述第3半導體層的與所述基體相反的一側的面設置有所述凹部的開口，

所述凹部的底的直徑比所述凹部的開口的直徑小，

所述凹部的深度小于所述第3半導體層的厚度，

在所述層疊體的與所述基體相反的一側設置有電極，

所述電極與所述第3半導體層電連接。

2.根據權利要求1所述的發光裝置，其中，

從所述層疊體的層疊方向觀察時，所述電極在與所述凹部重疊的位置具有貫通所述電極的貫通孔。

3.根據權利要求1或2所述的發光裝置，其中，

設置有多個所述凹部，

多個所述柱狀部在第1方向上以第1間距排列，

多個所述凹部在第2方向上以第2間距排列，

所述第2間距小于所述第1間距。

4.根據權利要求1或2所述的發光裝置，其中，

所述凹部的開口的直徑比所述多個柱狀部各自的直徑小。

5.根據權利要求1或2所述的發光裝置，其中，

所述凹部的形狀為圓錐或棱錐。

6.根據權利要求1或2所述的發光裝置，其中，

所述凹部的直徑隨著從所述凹部的開口朝向所述凹部的底而變小。

7.一種投影儀，其具有權利要求1至6中的任意一項所述的發光裝置。

8.一種顯示器，其具有權利要求1至6中的任意一項所述的發光裝置。

9.一種發光裝置，其具有：

基體；以及

層疊體，其設置于所述基體，具有多個柱狀部，所述多個柱狀部為光子晶體構造，

所述多個柱狀部各自具有：

第1半導體層；

第2半導體層，其導電類型與所述第1半導體層不同；

發光層，其設置在所述第1半導體層與所述第2半導體層之間，發出光；以及

第3半導體層，其設置于所述第2半導體層并且導電類型與所述第2半導體層相同，

所述第3半導體層設有多個凹部，所述第3半導體層具有頂面和底面，所述底面比所述頂面更靠近所述第2半導體層，

所述多個凹部各自的開口設置于所述第3半導體層的所述頂面，并且所述多個凹部各自的底靠近所述第3半導體層的所述底面，

所述多個凹部各自的所述底的直徑小于所述多個凹部各自的所述開口的直徑，

針對從所述光子晶體構造發出的光的平均折射率隨著從所述第3半導體層的所述頂面朝向所述第3半導體層的所述底面逐漸變大。

10.根據權利要求9所述的發光裝置，其中，

在所述層疊體的與所述基體相反的一側設置有電極，

從所述層疊體的層疊方向觀察時，所述電極在與所述凹部重疊的位置具有貫通所述電極的貫通孔。

11.根據權利要求9或10所述的發光裝置，其中，

多個所述柱狀部在第1方向上以第1間距排列，

多個所述凹部在第2方向上以第2間距排列，

所述第2間距小于所述第1間距。