[發(fā)明專利]含有TTA過程的雜化局域電荷轉移材料為主體的藍光熒光有機發(fā)光二極管及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011153275.0
• 申請日: 2020-10-26
• 公開（公告）號: CN112382729B
• 公開（公告）日: 2022-01-18
• 發(fā)明（設計）人: 馬東閣;林城偉;肖曙;代巖峰;孫倩;胡德華;馬於光
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;C09K11/06
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 雷月華

1.一種以含有TTA過程的HLCT材料為主體的藍光熒光有機發(fā)光二極管，其特征在于器件結構依次包括襯底、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極；

所述發(fā)光層由主體材料和熒光客體摻雜劑構成；

所述的主體材料為2-(4-(10-(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)蒽基-9-基)苯基)-1-苯基-1H-菲[9,10-d]咪唑；

所述的熒光客體摻雜劑為N,N'-雙(3-甲基苯基)N,N'-雙[3-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]-芘-1,6-二胺。

2.根據權利要求1所述的以含有TTA過程的HLCT材料為主體的藍光熒光有機發(fā)光二極管，其特征在于：所述熒光客體摻雜劑在發(fā)光層中的摻雜濃度為1-20wt.％。

3.根據權利要求1所述的以含有TTA過程的HLCT材料為主體的藍光熒光有機發(fā)光二極管，其特征在于：所述發(fā)光層的厚度為10～30nm。

4.根據權利要求1所述的以含有TTA過程的HLCT材料為主體的藍光熒光有機發(fā)光二極管，其特征在于：

所述襯底為玻璃、聚合物材料或者金屬材料中的一種；

所述陽極為氧化銦錫、金屬或者石墨烯中的一種，陽極的厚度為100～150nm。

5.根據權利要求1所述的以含有TTA過程的HLCT材料為主體的藍光熒光有機發(fā)光二極管，其特征在于：所述空穴注入層材料為2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,2-六氮雜苯并菲、MoO₃或V₂O₅中的一種，空穴注入層的厚度為3～20nm。

6.根據權利要求1所述的以含有TTA過程的HLCT材料為主體的藍光熒光有機發(fā)光二極管，其特征在于：

所述空穴傳輸層材料為4,4’-環(huán)己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]，空穴傳輸層的厚度為40～100nm。

7.根據權利要求1所述的以含有TTA過程的HLCT材料為主體的藍光熒光有機發(fā)光二極管，其特征在于：

所述電子阻擋層材料為4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺，電子阻擋層的厚度為2～20nm。

8.根據權利要求1所述的以含有TTA過程的HLCT材料為主體的藍光熒光有機發(fā)光二極管，其特征在于：所述電子傳輸層材料為1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或3,3’-[5’-[3-(3-吡啶基)苯基][1,1’:3’,1”-三聯苯]-3,3”-二基]二吡啶中的一種，電子傳輸層的厚度為30～60nm。

9.根據權利要求1所述的以含有TTA過程的HLCT材料為主體的藍光熒光有機發(fā)光二極管，其特征在于：

所述電子注入層材料為LiF、Li₂CO₃或Cs₂CO₃中的一種，電子注入層的厚度為0.5～3nm；

所述陰極材料為Al、Ag或Mg:Al合金材料的一種，陰極的厚度為100～150nm。

10.權利要求1-9任一項所述的以含有TTA過程的HLCT材料為主體的藍光熒光有機發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

首先對帶有ITO陽極的玻璃襯底進行預處理，包括堿液超聲、去離子水沖洗、高壓氮氣吹干、烘箱烘烤和紫外臭氧處理，然后把處理好的ITO陽極玻璃襯底放入鍍膜機中，用機械泵和分子泵將鍍膜機抽真空至壓強1×10^-4Pa以下，并依次在ITO陽極玻璃襯底表面上蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到所述的以含有TTA過程的HLCT材料為主體的藍光熒光有機發(fā)光二極管。