[發明專利]一種像素補償電路及驅動方法

在審

• 申請號: 202011149428.4
• 申請日: 2020-10-23
• 公開（公告）號: CN112331148A
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發明（設計）人: 鐘慧萍;郭智宇;劉漢龍;陳廷安;劉振東;鄭聰秀
• 申請（專利權）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號: G09G3/3258
• 分類號: G09G3/3258
• 代理公司: 福州市景弘專利代理事務所(普通合伙) 35219
• 代理人: 林祥翔;徐劍兵

本發明公布一種像素補償電路及驅動方法，其中補償電路包括：晶體管T1的漏極連接VDD，晶體管T1的柵極連接SCAN1，晶體管T1的源極連接晶體管T2的漏極和晶體管T4的漏極；晶體管T2的源極和晶體管T4的柵極連接第一極板，晶體管T2的柵極連接SCAN2；晶體管T3的源極連接第二極板，晶體管T3的柵極連接SCAN2；晶體管T4的源極連接晶體管T6的源極和晶體管T7的漏極；晶體管T5的柵極連接EM，晶體管T5的漏極連接到晶體管T3的源極；晶體管T6的柵極連接SCAN2；晶體管T7的源極連接發光二極管的正極，晶體管T7的柵極連接EM。上述技術方案讓面板各處畫面的亮度顯示得更加均勻。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種像素補償電路及驅動方法。

背景技術

近年來，有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)由于其自發光、高響應速度、廣視角、高對比度、低功耗、輕薄、耐高低溫及可柔性等特性，被廣泛地應用于顯示面板行業中。

目前OLED存在一些問題，例如由于低溫多晶硅技術(LTPS TFT)和金屬氧化物技術(Metal oxide TFT)的工藝制程的影響，不同位置的晶體管的Vth(即閾值電壓)的不均勻性，造成OLED的電流差異和亮度差異，并被人眼感知，即mura現象。

現有已知影響OLED device電流大小的參數有晶體管的電子遷移率、閾值電壓Vth、OLED的驅動電壓以及電源電壓的大小等。而且OLED本身的亮度在開啟后逐漸衰減，這些問題難以在工藝上克服。所以需要像素補償電路來消除這些因素帶來的影響，讓所有像素的亮度達到理想值。

發明內容

為此，需要提供一種像素補償電路及驅動方法，解決面板顯示亮度不均勻的問題。

為實現上述目的，本實施例提供了一種像素補償電路，包括晶體管T1、晶體管T2、晶體管T3、晶體管T4、晶體管T5、晶體管T6、晶體管T7、電容和二極管；

所述晶體管T1的漏極連接VDD，所述晶體管T1的柵極連接SCAN1，所述晶體管T1的源極分別連接所述晶體管T2的漏極和所述晶體管T4的漏極；

所述晶體管T2的源極和所述晶體管T4的柵極分別連接所述電容的第一極板，所述晶體管T2的柵極連接SCAN2；

所述晶體管T3的源極連接所述電容的第二極板，所述晶體管T3的漏極連接驅動Vdate，所述晶體管T3的柵極連接SCAN2；

所述晶體管T4的源極分別連接所述晶體管T5的源極、所述晶體管T6的源極和所述晶體管T7的漏極；

所述晶體管T5的柵極連接EM，所述晶體管T5的漏極連接到所述晶體管T3的源極與所述第二極板之間的線路上；

所述晶體管T6的柵極連接SCAN2，所述晶體管T6的漏極連接Vref；

所述晶體管T7的源極連接所述二極管的正極，所述晶體管T7的柵極連接EM。

進一步地，所述二極管的負極連接VSS。

進一步地，晶體管T1、晶體管T2、晶體管T3、晶體管T4、晶體管T5、晶體管T6、晶體管T7均為薄膜晶體管。

進一步地，晶體管T1、晶體管T2、晶體管T3、晶體管T4、晶體管T5、晶體管T6、晶體管T7均為N型結構的薄膜晶體管。

進一步地，所述二極管為有機發光二極管。

進一步地，所述像素補償電路設置在顯示面板上。

本實施例還提供一種像素補償電路驅動方法，應用于上述任意一項實施例所述的一種像素補償電路，包括如下步驟：