[發(fā)明專利]一種噻吩和苯的分離方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011149042.3 | 申請日： | 2020-10-23 |
| 公開（公告）號： | CN112321381A | 公開（公告）日： | 2021-02-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 黃飛鶴;周炯;喻國燦;王孟賓 | 申請（專利權(quán)）人： | 浙江大學(xué) |
| 主分類號： | C07C7/12 | 分類號： | C07C7/12;C07C15/04;C07D333/10;B01J20/22;B01J20/30;B01J20/34 |
| 代理公司： | 杭州天勤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡紅娟 |
| 地址： | 310013 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 噻吩 分離 方法 | ||
1.一種噻吩和苯的分離方法，其特征在于，將雜[3]芳烴晶體材料和噻吩與苯混合物接觸并選擇性吸附噻吩實(shí)現(xiàn)噻吩和苯的分離，所述選擇性吸附噻吩的溫度小于80℃，所述雜[3]芳烴晶體材料的化學(xué)結(jié)構(gòu)式如下：
所述雜[3]芳烴晶體材料通過在不良溶劑中重結(jié)晶后活化得到，所述活化的溫度不低于150℃，時間不小于2小時。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分離方法，其特征在于，所述噻吩與苯混合物為噻吩和苯的混合蒸氣。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分離方法，其特征在于，完成噻吩選擇性吸附后，采用真空加熱或減壓加熱除去雜[3]芳烴晶體材料表面吸附的噻吩與苯混合物，所述真空加熱或減壓加熱的溫度小于80℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的分離方法，其特征在于，除去雜[3]芳烴晶體材料表面吸附的噻吩與苯混合物后，加熱脫附得到雜[3]芳烴晶體材料吸附絡(luò)合的噻吩，同時實(shí)現(xiàn)雜[3]芳烴晶體材料的再生，所述加熱脫附的溫度為80～100℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分離方法，其特征在于，所述不良溶劑為丙酮。
6.雜[3]芳烴晶體材料在噻吩與苯混合物中選擇性吸附噻吩的應(yīng)用，其特征在于，所述選擇性吸附噻吩的溫度小于80℃，所述雜[3]芳烴晶體材料的化學(xué)結(jié)構(gòu)式如下：
所述雜[3]芳烴晶體材料通過在不良溶劑中重結(jié)晶后活化得到，所述活化的溫度不低于150℃，時間不小于2小時。
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