[發明專利]半導體裝置在審
| 申請號： | 202011147320.1 | 申請日： | 2020-10-23 |
| 公開（公告）號： | CN112750811A | 公開（公告）日： | 2021-05-04 |
| 發明（設計）人： | 村上晴彥;江口佳佑 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L25/18 | 分類號： | H01L25/18;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;張天舒 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置，其具有：
開關元件；
至少1個SBD，其與所述開關元件串聯連接；
PND，其與所述開關元件串聯連接，與所述至少1個SBD并聯連接；以及
輸出電極，其連接于所述開關元件與所述至少1個SBD以及所述PND之間，
所述PND的陽極電極通過導線經由所述至少1個SBD的陽極電極而與所述輸出電極連接。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，
所述PND的有效面積比所述至少1個SBD的有效面積小。
3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，
所述至少1個SBD是彼此并聯連接的多個SBD。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置，其中，
還具有與所述PND并聯連接的IGBT，
所述PND的陽極電極通過所述導線經由所述IGBT的發射極電極和所述至少一個SBD的陽極電極而與所述輸出電極連接。
5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中，
所述PND和所述IGBT由RC-IGBT構成，
所述RC-IGBT的表面電極中的IGBT區域的正上方的區域與所述至少1個SBD的陽極電極通過所述導線而連接。
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