[發明專利]一種提升顯示效果的像素補償電路及驅動方法在審
| 申請號： | 202011147219.6 | 申請日： | 2020-10-23 |
| 公開（公告）號： | CN112331147A | 公開（公告）日： | 2021-02-05 |
| 發明（設計）人： | 鐘慧萍;郭智宇;劉漢龍;陳廷安;劉振東;鄭聰秀 | 申請（專利權）人： | 福建華佳彩有限公司 |
| 主分類號： | G09G3/3258 | 分類號： | G09G3/3258 |
| 代理公司： | 福州市景弘專利代理事務所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 徐劍兵;林祥翔 |
| 地址： | 351100 福*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提升 顯示 效果 像素 補償 電路 驅動 方法 | ||
1.一種提升顯示效果的像素補償電路，其特征在于，包括晶體管T1、晶體管T2、晶體管T3、晶體管T4、晶體管T5、晶體管T6、晶體管T7、電容和二極管；
所述晶體管T1的漏極和所述晶體管T7的漏極分別連接VDD，所述晶體管T1的源極和晶體管T7的源極分別連接所述晶體管T4的漏極，所述晶體管T1的柵極連接Scan2，所述晶體管T7的柵極連接EM；
所述晶體管T4的柵極連接晶體管T2的源極，所述晶體管T4的源極連接晶體管T6的漏極；
所述晶體管T6的柵極連接EM，所述晶體管T6的源極連接所述二極管的正極；
所述晶體管T2的漏極連接Vdate，所述晶體管T2的柵極連接Scan1，所述電容的第一極板連接到所述晶體管T2的源極與所述晶體管T4的柵極之間的線路上；
所述晶體管T3的柵極連接Scan1，所述晶體管T3的源極連接所述二極管的正極，所述電容的第二極板連接到所述晶體管T3的源極與所述二極管的正極之間的線路上；
所述晶體管T5的柵極連接Scan2，所述晶體管T5的源極連接到所述晶體管T4的源極與晶體管T6的漏極之間的線路上，所述晶體管T5的漏極連接到所述晶體管T2的源極與所述晶體管T4的柵極之間的線路上。
2.根據權利要求1所述的一種提升顯示效果的像素補償電路，其特征在于，所述二極管的負極連接VSS。
3.根據權利要求1所述的一種提升顯示效果的像素補償電路，其特征在于，晶體管T1、晶體管T2、晶體管T3、晶體管T4、晶體管T5、晶體管T6、晶體管T7均為薄膜晶體管。
4.根據權利要求3所述的一種提升顯示效果的像素補償電路，其特征在于，晶體管T1、晶體管T2、晶體管T3、晶體管T4、晶體管T5、晶體管T6、晶體管T7均為N型結構的薄膜晶體管。
5.根據權利要求1所述的一種提升顯示效果的像素補償電路，其特征在于，所述二極管為有機發光二極管。
6.根據權利要求1所述的一種提升顯示效果的像素補償電路，其特征在于，像素補償電路設置在顯示面板上。
7.一種提升顯示效果的像素補償電路驅動方法，其特征在于，應用于權利要求1至6任意一項所述的一種提升顯示效果的像素補償電路，包括如下步驟：
在復位階段，Scan1寫入高電位，EM和Scan2寫入低電位；
在補償階段，Scan2寫入高電位，EM和Scan1寫入低電位；
在存儲階段，Scan1、Scan2和EM均寫入低電位；
在發光階段，Scan1和Scan2寫入低電位，EM寫入高電位。
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