[發明專利]一種接觸孔化學機械平坦化的優化方法

有效

• 申請號: 202011142188.5
• 申請日: 2020-10-22
• 公開（公告）號: CN112259501B
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發明（設計）人: 劉建云;陳嵐
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種接觸孔化學機械平坦化的優化方法，包括：

(1)去除接觸孔上方冗余的金屬鎢，其中，當研磨至接觸孔周圍的阻擋層出現時，再磨T秒，結束冗余的金屬鎢的去除；

(2)去除阻擋層及剩余的金屬鎢，完成所述接觸孔的化學機械平坦化，獲得平坦的金屬鎢接觸連接；

其中，步驟(1)中，所述T＝H(χ-1)/χ·MRR_W1，H為阻擋層的厚度，MRR_W1為步驟(1)中金屬鎢的去除速率，χ為阻擋層去除速率與步驟(2)中金屬鎢去除速率之比。

2.根據權利要求1所述的優化方法，其特征在于，

步驟(1)中，當所述T的計算結果大于40秒時，T的取值為15至25秒。

3.根據權利要求1所述的優化方法，其特征在于，

步驟(1)中，去除所述冗余的金屬鎢采用的方法為化學機械平坦化方法。

4.根據權利要求1所述的優化方法，其特征在于，

步驟(2)中，去除所述阻擋層采用的方法為化學機械平坦化方法。

5.根據權利要求1所述的優化方法，其特征在于，

步驟(2)中，所述阻擋層采用的材料包括TiN或Ti中的至少一種。

6.根據權利要求1所述的優化方法，其特征在于，

所述接觸孔結構的制備方法包括：

在基底上制備前道器件；

在前道器件上覆蓋絕緣介質層；

在絕緣介質層上形成接觸孔；

在接觸孔內沉積阻擋層；

在接觸孔內填充金屬鎢。