[發明專利]顯示基板及其制作方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 202011140961.4 | 申請日: | 2020-10-22 |
| 公開(公告)號: | CN112271196A | 公開(公告)日: | 2021-01-26 |
| 發明(設計)人: | 于洋;曹方旭;王品凡;李文強;謝春燕;王博;王景泉 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/00;H01L51/50;H01L51/52;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
公開一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置,涉及顯示技術領域,用于實現可拉伸功能。該顯示基板包括:柔性襯底、位于柔性襯底第一側的陰極層和位于柔性襯底與陰極層之間的至少一層絕緣層。柔性襯底包括至少一個可拉伸區域,可拉伸區域從顯示區延伸至非顯示區,可拉伸區域內設置有陣列排布的多個開孔。陰極層從顯示區延伸至非顯示區,且陰極層的邊緣位于非顯示區。所述至少一層絕緣層被配置為暴露出多個開孔,并且至少一層絕緣層設置有至少一個隔斷槽,隔斷槽圍繞開孔設置,且隔斷槽被配置為隔斷陰極層。本公開提供的顯示基板,應用于顯示裝置中。
技術領域
本公開涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置。
背景技術
顯示裝置,例如AMOLED(Active-matrix organic light-emitting diode,有源矩陣有機發光二極管)顯示裝置,具有能夠單獨控制每個子像素進行顯示,對比度高,色彩艷麗等優點。但是,現有的AMOLED顯示裝置的邊框區域不具備可拉伸性能,這導致其難以應用在曲面顯示產品中。
發明內容
本公開的目的在于提供一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置,用于實現可拉伸功能。
為了實現上述目的,本公開提供如下技術方案:
一方面,提供一種顯示基板。所述顯示基板具有顯示區和與所述顯示區鄰接的非顯示區。所述顯示基板包括:柔性襯底,所述柔性襯底包括至少一個可拉伸區域,所述可拉伸區域從所述顯示區延伸至所述非顯示區,所述可拉伸區域內設置有陣列排布的多個開孔;位于所述柔性襯底第一側的陰極層,所述陰極層從所述顯示區延伸至所述非顯示區,且所述陰極層的邊緣位于所述非顯示區;位于所述柔性襯底與所述陰極層之間的至少一層絕緣層,所述至少一層絕緣層被配置為暴露出所述多個開孔,并且所述至少一層絕緣層設置有至少一個隔斷槽,隔斷槽圍繞開孔設置,且隔斷槽被配置為隔斷所述陰極層。
在一些實施例中,所述顯示基板還包括:位于所述陰極層與所述至少一層絕緣層之間的發光功能層,所述發光功能層從所述顯示區延伸至所述非顯示區,所述發光功能層的邊緣位于所述陰極層的邊緣和所述顯示區之間;其中,至少部分所述隔斷槽同時隔斷所述陰極層和所述發光功能層。
在一些實施例中,沿所述開孔的徑向方向截斷所述隔斷槽后得到的橫截面大致呈倒T型。
在一些實施例中,所述至少一層絕緣層包括依次遠離所述陰極層的第一無機絕緣層和第一有機絕緣層;所述隔斷槽穿過所述第一無機絕緣層和至少部分所述第一有機絕緣層。
在一些實施例中,所述顯示基板還包括:設置于所述柔性襯底的第一側、且位于所述非顯示區的至少一條信號線,所述信號線上具有至少一個第一避讓口,所述第一避讓口被配置為暴露出所述開孔。其中,所述至少一層絕緣層覆蓋所述第一避讓口的側壁;或者,所述至少一層絕緣層覆蓋所述第一避讓口的側壁和所述信號線遠離所述柔性襯底的表面中靠近所述第一避讓口的部分表面。
在一些實施例中,所述信號線包括依次遠離所述柔性襯底的第一金屬層和第二金屬層;所述至少一層絕緣層包括依次靠近所述柔性襯底的第一無機絕緣層、第一有機絕緣層、第二有機絕緣層和第二無機絕緣層;所述第二有機絕緣層覆蓋所述第一金屬層靠近所述開孔的側面和所述第一金屬層遠離所述柔性襯底的部分表面;所述第二金屬層與所述第一金屬層電接觸,且所述第二金屬層覆蓋所述第二有機絕緣層遠離所述開孔的側面和所述第二有機絕緣層遠離所述柔性襯底的部分表面;所述第一有機絕緣層覆蓋所述第二金屬層靠近所述開孔的側面和所述第二金屬層遠離所述柔性襯底的部分表面;所述第二無機絕緣層位于所述第一有機絕緣層、所述第一金屬層、第二金屬層和所述柔性襯底四者之間;所述第一無機絕緣層覆蓋所述第一有機絕緣層遠離所述柔性襯底的至少部分表面、所述第一有機絕緣層靠近所述開孔的側面和所述第二有機絕緣層靠近所述開孔的側面,并且所述第一無機絕緣層連接至所述第二無機絕緣層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





