[發明專利]晶粒組件及其制備方法

在審

• 申請號: 202011140647.6
• 申請日: 2020-10-22
• 公開（公告）號: CN112736069A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 施江林;吳珮甄;張慶弘;丘世仰
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L25/18;H01L23/48;H01L21/768;H01L21/98
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 謝強;黃艷

1.一種晶粒組件，包括：

一第一晶粒，包括一第一基板和設置于該第一基板之上的多個第一金屬線；

一第二晶粒，包括一第二基板和設置于該第二基板之上的多個第二金屬線，其中該第一晶粒堆疊在該第二晶粒上，且所述多個第二金屬線面對所述多個第一金屬線；

一第三晶粒，包括一第三基板和設置于該第三基板之上的多個第三金屬線，其中該第二晶粒堆疊在該第三晶粒上，且所述多個第三金屬線面對該第二基板；

至少一第一插塞，穿過該第二基板以連接到所述多個第二金屬線的至少一者；

一第一重分布層，將所述多個第一金屬線的至少一者物理性連接到所述多個第二金屬線的至少一者；以及

一第二重分布層，將所述多個第三金屬線的至少一者物理性連接到該第一插塞。

2.如權利要求1所述的晶粒組件，其中該第一重分布層與距離該第一基板最遠的該第一金屬線對齊，且該第二重分布層與該第一插塞對齊。

3.如權利要求2所述的晶粒組件，還包括：

一第一介電層，位于該第一晶粒和該第二晶粒之間且環繞該第一重分布層；以及

一第二介電層，位于該第二晶粒和該第三晶粒之間且環繞該第二重分布層。

4.如權利要求1所述的晶粒組件，還包括至少一第二插塞，其穿過該第三基板并與所述多個第三金屬線的至少一者接觸。

5.如權利要求4所述的晶粒組件，還包括：

一第三重分布層，與該第二插塞接觸；以及

一鈍化層，環繞該第三重分布層。

6.如權利要求5所述的晶粒組件，還包括至少一焊錫凸塊，其電性耦合到該第三重分布層。

7.如權利要求4所述的晶粒組件，還包括：

一第一障壁襯層，位于該第二基板和該第一插塞之間，且位于該第二金屬線和該第一插塞之間；以及

一第二障壁襯層，位于該第三基板和該第二插塞之間，且位于該第三金屬線和該第二插塞之間。

8.一種晶粒組件的制備方法，包括：

提供一第一晶粒，其包括一第一基板和位于該第一基板之上的多個第一金屬線；

形成一第一重繞線層，其物理性連接到所述多個第一金屬線的至少一者；

提供一第二晶粒，其包括一第二基板和位于該第二基板之上的多個第二金屬線；

形成一第二重繞線層，其與該第一重繞線層對齊且與所述多個第二金屬線的至少一者接觸；

接合該第一重繞線層和該第二重繞線層以形成一第一重分布層；

形成至少一第一插塞，其穿過該第二基板且與所述多個第二金屬線的至少一者接觸；

形成一第三重繞線層，其與該第一插塞接觸；

提供一第三晶粒，其包括一第三基板和位于該第三基板之上的多個第三金屬線；

形成一第四重繞線層，其與該第三重繞線層對齊且與所述多個第三金屬線的至少一者接觸；以及

接合該第三重繞線層和該第四重繞線層以形成一第二重分布層。

9.如權利要求8所述的晶粒組件的制備方法，還包括：

沉積一毯狀介電質于該第一基板之上且連接到距離該第一基板最遠的所述多個第一金屬線；

進行一第一蝕刻工藝以通過該毯狀介電質暴露出距離該第一基板最遠的所述多個第一金屬線的一部分，從而形成一第一介電膜；以及

進行一電鍍工藝以形成該第一重繞線層于通過該第一介電膜而暴露的所述多個第一金屬線上。

10.如權利要求9所述的晶粒組件的制備方法，還包括：

在形成該第二重繞線層之前，沉積一第二介電膜以覆蓋距離該第二基板最遠的該第二金屬線的部分；以及

在接合該第一重繞線層和該第二重繞線層的同時接合該第一介電膜和該第二介電膜。