[發(fā)明專利]放電電路、浪涌保護(hù)電路、點(diǎn)火電路及電子設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011140573.6 | 申請(qǐng)日： | 2020-10-22 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN112332396A | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-02-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 沈能文;周垠群 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 馬鞍山市檳城電子有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H02H9/06 | 分類號(hào)： | H02H9/06 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 243000 安徽省馬鞍山市馬鞍山*** | 國(guó)省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 放電 電路 浪涌 保護(hù) 點(diǎn)火 電子設(shè)備 | ||
本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種放電電路、浪涌保護(hù)電路、點(diǎn)火電路及電子設(shè)備。其中，該放電電路包括：三極氣體放電管、第一阻抗支路和第二阻抗支路，三極氣體放電管的第一極通過(guò)第一阻抗支路與其第二極電連接；三極氣體放電管的第二極通過(guò)第二阻抗支路與其第三極電連接；對(duì)于同一高頻，|Z11|：|Z12|≠VBR1：VBR2，其中，|Z11|為第一阻抗支路的高頻阻抗模，|Z12|為第二阻抗支路的高頻阻抗模，VBR1為三極氣體放電管的第一極與第二極之間的放電間隙的直流擊穿電壓，VBR2為三極氣體放電管的第二極與第三極之間的放電間隙的直流擊穿電壓，其中，高頻大于工頻。本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案可以降低氣體放電管的沖擊擊穿電壓，減少保護(hù)盲區(qū)，甚至去除了盲區(qū)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及放電電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種放電電路、浪涌保護(hù)電路、點(diǎn)火電路及電子設(shè)備。
背景技術(shù)
電磁脈沖(electromagnetic pulse，EMP)和雷擊電磁脈沖(Lightningelectromagnetic pulse，LEMP)的防護(hù)，目前主要是利用EMP和LEMP的高壓特性做針對(duì)性的進(jìn)行防護(hù)，氣體放電管(Gas Discharge Tube，GDT)正是針對(duì)高壓或者過(guò)壓特性設(shè)計(jì)，利用潘寧效應(yīng)，在封裝空間里充一定氣壓的氣體，在金屬電極上涂上陰極材料，使該器件呈現(xiàn)一定的直流耐壓特性和脈沖擊穿電壓特性。目前有玻璃氣體放電管和陶瓷氣體放電管。
以直流擊穿電壓為3000V的GDT為例，該GDT的沖擊擊穿電壓約為3600V，該GDT的所使用的環(huán)境多為耐壓1500VAC的環(huán)境中，該交流環(huán)境峰值電壓為2121VDC，就算該環(huán)境設(shè)計(jì)把耐壓提高20％，設(shè)備的耐壓是1500*1.2*1.414＝2545VDC，從數(shù)據(jù)上看2545～3600V之間EMP或LEMP是沒(méi)辦法防護(hù)的，這個(gè)就是該型3000VGDT的盲區(qū)，目前在實(shí)際應(yīng)用中沒(méi)有很好的辦法解決；在實(shí)際應(yīng)用和測(cè)試中，設(shè)備被EMP和LEMP損壞概率非常高，其它電壓等級(jí)的GDT都存在同樣的問(wèn)題，沖擊擊穿電壓過(guò)高，存在保護(hù)盲區(qū)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種放電電路、浪涌保護(hù)電路、點(diǎn)火電路及電子設(shè)備，以降低三極氣體放電管的沖擊擊穿電壓，減小保護(hù)盲區(qū)。
第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種放電電路，包括：
三極氣體放電管，三極氣體放電管的第一極與放電電路的第一端電連接，三極氣體放電管的第三極與放電電路的第二端電連接；
第一阻抗支路，第一阻抗支路的第一端與三極氣體放電管的第一極電連接；第一阻抗支路的第二端與三極氣體放電管的第二極電連接；
第二阻抗支路，第二阻抗支路的第一端與三極氣體放電管的第二極電連接；第二阻抗支路的第二端與三極氣體放電管的第三極電連接；
對(duì)于同一高頻，|Z11|：|Z12|≠VBR1：VBR2，其中，|Z11|為第一阻抗支路的高頻阻抗模，|Z12|為第二阻抗支路的高頻阻抗模，VBR1為三極氣體放電管的第一極與第二極之間的放電間隙的直流擊穿電壓，VBR2為三極氣體放電管的第二極與第三極之間的放電間隙的直流擊穿電壓，高頻大于工頻。
進(jìn)一步地，第一阻抗支路的高頻阻抗模大于第二阻抗支路的高頻阻抗模；
第一阻抗支路的工頻阻抗模小于或等于第二阻抗支路的工頻阻抗模；
三極氣體放電管的第一極與第二極之間的放電間隙的直流擊穿電壓小于或等于三極氣體放電管的第二極與第三極之間的放電間隙的直流擊穿電壓。
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