[發明專利]顯示面板及其制備方法

有效

• 申請號: 202011138038.7
• 申請日: 2020-10-22
• 公開（公告）號: CN112310308B
• 公開（公告）日: 2022-04-26
• 發明（設計）人: 孫鋒;魏鋒;李金川
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 遠明

1.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板為頂發光型顯示面板，并包括：

玻璃基板；

OLED器件層，設置于所述玻璃基板上，所述OLED器件層包括依次層疊的陽極層、有機功能層、以及陰極層；以及

玻璃蓋板，設置于所述OLED器件層上；其中，

所述玻璃基板與所述陽極層之間設置有第一一維光子晶體層，所述陰極層與所述玻璃蓋板之間設置有第二一維光子晶體層；

所述第一一維光子晶體層包括設置于所述玻璃基板上的多層第一晶體單元層，所述第一晶體單元層包括交替形成的第一高折射率層和第一低折射率層，第一高折射率層靠近所述玻璃基板，第一低折射率層遠離所述玻璃基板，其中，所述第一高折射率層的折射率大于所述第一低折射率層的折射率；

所述第二一維光子晶體層包括設置于所述陰極層上的多層第二晶體單元層、第一中折射率層、以及多層第三晶體單元層，所述第二晶體單元層和所述第三晶體單元層均包括交替形成的第二高折射率層和第二低折射率層，其中，所述第二高折射率層靠近所述陰極層，所述第二低折射率層遠離所述陰極層，所述第二高折射率層的折射率、所述第一中折射率層的折射率、以及所述第二低折射率層的折射率依次減小。

2.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第二晶體單元層的層數不大于所述第三晶體單元層的層數。

3.根據權利要求2所述的顯示面板，其特征在于，所述第三晶體單元層的層數至少比所述第二晶體單元層的層數多兩層。

4.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第一晶體單元層的層數為3～10層。

5.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第一一維光子晶體層還包括設置于多層所述第一晶體單元層上的多層第四晶體單元層，以及設置于多層所述第一晶體單元層與多層所述第四晶體單元層之間的第二中折射率層，其中，所述第四晶體單元層包括交替形成的第三高折射率層和第三低折射率層，所述第三高折射率層的折射率、所述第二中折射率層的折射率、以及所述第三低折射率層的折射率依次減小。

6.根據權利要求5所述的顯示面板，其特征在于，所述第一晶體單元層的層數大于所述第四晶體單元層的層數。

7.根據權利要求6所述的顯示面板，其特征在于，所述第三高折射率層靠近所述玻璃基板，所述第三低折射率層遠離所述玻璃基板。

8.根據權利要求6所述的顯示面板，其特征在于，所述第三低折射率層靠近所述玻璃基板，所述第三高折射率層遠離所述玻璃基板。

9.一種如權利要求1～8任一權利要求所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

S10，在玻璃基板上形成第一一維光子晶體層，所述第一一維光子晶體層包括形成于所述玻璃基板上的多層第一晶體單元層，所述第一晶體單元層包括交替形成的第一高折射率層和第一低折射率層，第一高折射率層靠近所述玻璃基板，第一低折射率層遠離所述玻璃基板，其中，所述第一高折射率層的折射率大于所述第一低折射率層的折射率；

S20，在所述第一一維光子晶體層上依次形成陽極層、有機功能層、以及陰極層；

S30，在所述陰極層上形成第二一維光子晶體層，所述第二一維光子晶體層包括形成于所述陰極層上的多層第二晶體單元層、第一中折射率層、以及多層第三晶體單元層，所述第二晶體單元層和所述第三晶體單元層均包括交替形成的第二高折射率層和第二低折射率層，所述第二高折射率層靠近所述陰極層，所述第二低折射率層遠離所述陰極層，其中，所述第二高折射率層的折射率、所述第一中折射率層的折射率、以及所述第二低折射率層的折射率依次減小；

S40，在所述第二一維光子晶體層上形成玻璃蓋板。