[發(fā)明專利]顯示面板及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011135954.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-10-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112289834A | 公開(公告)日: | 2021-01-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙舒寧 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 遠(yuǎn)明 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明提供了顯示面板及其制作方法,該顯示面板包括:襯底;設(shè)于襯底上的薄膜晶體管層,薄膜晶體管層包括設(shè)于襯底上的柵極層、設(shè)于柵極層上的絕緣層、設(shè)于絕緣層上的有源層以及源漏極層,源漏極層包括源極和漏極,源極和漏極分別與有源層的兩側(cè)接觸設(shè)置,源極和漏極還設(shè)于絕緣層上;第一電極,第一電極和源漏極層同層設(shè)置,第一電極設(shè)于源極遠(yuǎn)離漏極的一側(cè),或者第一電極設(shè)于漏極遠(yuǎn)離源極的一側(cè)。該方案可以減少光罩的種類和數(shù)量,以及減少制程的工序和原料,減少了顯示面板制作的時(shí)間和成本。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及顯示器件的制造,具體涉及顯示面板及其制備方法。
背景技術(shù)
OLED(Organic Light Emitting Diode,有機(jī)發(fā)光二極管)顯示面板采用自主發(fā)光技術(shù)進(jìn)行畫面顯示,具有響應(yīng)速度快、對(duì)比度高、視角廣等優(yōu)點(diǎn)。
目前,制作OLED顯示面板時(shí),需要先制備TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶體管)器件,再在TFT器件上方單獨(dú)制備OLED器件的陽(yáng)極。其中,TFT器件包括多層不同材料的膜層,需要較多種的光罩和工序來制備,而且單獨(dú)制備OLED器件的陽(yáng)極也需要新的光罩和新的工序,導(dǎo)致光罩種類和數(shù)量的需求、以及制程的工序和原料的需求都較高,造成OLED顯示面板制作的時(shí)間和成本較高。
因此,有必要提供可以降低顯示面板制作的時(shí)間和成本的顯示面板及其制備方法。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供顯示面板及其制備方法,通過將所述柵極層設(shè)于所述襯底上制作底柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管,以及將所述第一電極和所述源漏極層同層設(shè)置,解決了現(xiàn)有技術(shù)中OLED顯示面板制作的時(shí)間和成本較高的問題。
本發(fā)明實(shí)施例提供顯示面板,所述顯示面板包括:
襯底;
薄膜晶體管層,所述薄膜晶體管層設(shè)于所述襯底上,所述薄膜晶體管層包括:
柵極層,所述柵極層設(shè)于所述襯底上;
絕緣層,所述絕緣層設(shè)于所述柵極層上;
有源層,所述有源層設(shè)于所述絕緣層上;
源漏極層,所述源漏極層包括源極和漏極,所述源極和所述漏極分別與所述有源層的兩側(cè)接觸設(shè)置,所述源極和所述漏極還設(shè)于所述絕緣層上;
第一電極,所述第一電極和所述源漏極層同層設(shè)置,所述第一電極設(shè)于所述源極遠(yuǎn)離所述漏極的一側(cè),或者所述第一電極設(shè)于所述漏極遠(yuǎn)離所述源極的一側(cè)。
在一實(shí)施例中,當(dāng)所述第一電極設(shè)于所述源極遠(yuǎn)離所述漏極的一側(cè)時(shí),所述第一電極和所述源極一體成型;當(dāng)所述第一電極設(shè)于所述漏極遠(yuǎn)離所述源極的一側(cè)時(shí),所述第一電極和所述漏極一體成型。
在一實(shí)施例中,當(dāng)所述第一電極和所述源極或者和所述漏極一體成型時(shí),所述第一電極和所述源漏極層均為單層膜層,所述單層膜層的組成材料包括鋁、銅或者氧化銦錫。
在一實(shí)施例中,當(dāng)所述第一電極和所述源極或者和所述漏極一體成型時(shí),所述第一電極和所述源漏極層均為復(fù)合膜層,所述復(fù)合膜層包括鉬/鋁/鉬層、鋁/鉬層、鋁/氧化銦錫層、鉬/銅層、鉬鈦合金/銅層、銅/氧化銦錫層中的一種。
在一實(shí)施例中,當(dāng)所述第一電極設(shè)于所述源極遠(yuǎn)離所述漏極的一側(cè)時(shí),所述第一電極和所述源極之間具有間隙;當(dāng)所述第一電極設(shè)于所述漏極遠(yuǎn)離所述源極的一側(cè)時(shí),所述第一電極和所述漏極之間具有間隙。
在一實(shí)施例中,當(dāng)所述第一電極和所述源漏極層之間具有間隙時(shí),所述第一電極的組成材料和所述源漏極層的組成材料不相同或者相同。
在一實(shí)施例中,所述顯示面板還包括:
鈍化層,所述鈍化層設(shè)于所述薄膜晶體管層和所述第一電極上;
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





