[發明專利]一種控制聚合物熔體的參數的自動映射系統

有效

• 申請號: 202011134719.6
• 申請日: 2020-10-21
• 公開（公告）號: CN112757608B
• 公開（公告）日: 2023-05-09
• 發明（設計）人: R·F·穆勒
• 申請（專利權）人: 戴維斯-標準有限公司
• 主分類號: B29C48/31
• 分類號: B29C48/31;B29C48/08;B29C48/88;B29C48/92
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種用于控制連續熔體成型裝置（100，200）中的聚合物膜（7）的參數的系統（1000），其特征在于，所述系統（1000）包括：

用于產生聚合物熔體（11）的擠出機（17）；

與所述擠出機（17）連通的模具（1），所述模具（1）用于從所述擠出機（17）接收聚合物熔體（11），所述模具（1）具有沿其排出端橫向延伸的間隙（G）以及在所述間隙（G）附近沿所述模具（1）橫向設置的多個調節件（2），所述調節件用于對所述間隙（G）的大小進行選擇性調節；

在加工方向（MD）上設于所述模具（1）下游的冷卻缸（3），所述聚合物熔體（11）自所述模具（1）延伸至所述冷卻缸（3）；

在所述間隙（G）附近且設于所述冷卻缸（3）上游的至少一個標跡生成器（5H），所述至少一個標跡生成器（5H）用于在所述聚合物膜（7）的制造過程中，在所述間隙（G）附近的相應原點（P1，P2，P3）處在所述聚合物熔體（11）中產生至少一個跡道（14，14'，14''）；

位于所述間隙（G）下游的標跡傳感器系統（4），所述標跡傳感器系統（4）設于所述跡道（14，14'，14''）的測量位置（13）中，所述測量位置（13）為所述聚合物熔體（11）已被淬冷形成聚合物膜（7）的位置，所述標跡傳感器系統（4）用于定位所述測量位置（13）處所述聚合物膜（7）的相應跡道（14，14'，14''）的橫向點（LP1，LP2，LP3）；以及

控制單元（19），所述控制單元（19）配置為存儲根據所述相應原點（P1，P2，P3）處的跡道（14，14'，14''）位置與所述測量位置（13）上的相應橫向點（LP1，LP2，LP3）處的跡道（14，14'，14''）位置之間的關聯關系生成的算法，并應用所述算法以將控制信號發送至所述多個調節件（2）以調節所述間隙（G）。

2.根據權利要求1所述的系統（1000），其特征在于，所述至少一個標跡生成器（5H）包括至少一個端口（5P），所述端口用于在所述模具（1）附近向所述聚合物熔體（11）釋出一種物質和一種形式的能量當中的至少一者，以生成所述跡道（14）。

3.根據權利要求1所述的系統（1000），其特征在于，所述至少一個標跡生成器（5H）以可移動方式橫跨所述模具（1）設置。

4.根據權利要求1所述的系統（1000），其特征在于，所述至少一個標跡生成器（5H）包括氣體射流（5J），所述氣體射流沖擊所述聚合物熔體以形成所述跡道（14）。

5.根據權利要求1所述的系統（1000），其特征在于，所述標跡傳感器系統（4）用于檢測所述跡道（14）以及所述跡道（14）的橫向位置（LP）。

6.根據權利要求1所述的系統（1000），其特征在于，所述控制單元包括計算機處理器（19P），所述計算機處理器具有可執行軟件（19M），所述可執行軟件具有所述算法。

7.根據權利要求6所述的系統（1000），其特征在于，所述計算機處理器（19P）用于存儲所述相應原點（P1，P2，P3）處的所述聚合物熔體（11）的跡道位置與所述測量位置（13）上的所述相應橫向點（LP1，LP2，LP3）處的所述聚合物膜（7）的跡道位置之間的關聯關系，并具有所述可執行軟件（19M），所述可執行軟件（19M）執行所述關聯關系，以使得所述控制單元（19）針對多種聚合物材料及其構造，在所述系統（1000）的多個生產輪次起始階段進行所述調節件（2）的調節。

8.根據權利要求1所述的系統（1000），其特征在于，所述模具（1）包括至少一個寬度調節設備（30），所述寬度調節設備用于調節從所述間隙（G）中排出的所述聚合物熔體（11）的寬度。

9.根據權利要求8所述的系統（1000），其特征在于，所述至少一個寬度調節設備（30）包括定幅裝置。