[發(fā)明專利]電阻測試結構及方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011132111.X
• 申請日: 2020-10-21
• 公開（公告）號: CN112230067B
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發(fā)明（設計）人: 林均銘;黃秋桐;萬海洋
• 申請（專利權）人: 普迪飛半導體技術(上海)有限公司
• 主分類號: G01R27/14
• 分類號: G01R27/14;G01R31/27;H01L21/66
• 代理公司: 上海慧晗知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31343
• 代理人: 王葉娟

1.一種電阻測試結構，其特征在于，包括：

第一晶體管和第二晶體管，所述第一晶體管和第二晶體管共用同一源區(qū)和阱區(qū)，所述第一晶體管包括第一柵門、第一漏區(qū)以及所述源區(qū)，所述第二晶體管包括第二柵門、第二漏區(qū)以及所述源區(qū)；

后端導線，位于所述源區(qū)之上；

接觸孔，位于所述源區(qū)與所述后端導線之間，用于實現(xiàn)所述后端導線與源區(qū)的互連；

第一通孔，連接所述第一柵門與第二柵門；

第二通孔和第三通孔，均設置在所述后端導線上，且位于所述接觸孔的兩側；

第四通孔和第五通孔，分別設置于所述第一漏區(qū)和第二漏區(qū)上；

第六通孔，設置于所述阱區(qū)上；以及，

六組測試節(jié)點，包括分別連接所述第一至第六通孔的第一至第六測試節(jié)點，所述六組測試節(jié)點用于測試所述接觸孔的電阻值；

每一測試節(jié)點至少包括：引出線和導體塊；

所述引出線的第一端連接相應的通孔，所述引出線的第二端連接所述導體塊；

所述導體塊用于接收外部的測試電壓或測試電流。

2.如權利要求1所述的電阻測試結構，其特征在于，

所述第一柵門與第二柵門的尺寸相同；

所述第一通孔的第一端連接所述第一柵門，所述第一通孔的第二端連接所述第二柵門；

所述第一端、所述第二端分別位于偏離所述第一柵門在長度方向上的中心點的位置；

所述第一端到所述第一柵門的一個端部的距離、與所述第二端到所述第二柵門的一個端部的距離相同。

3.如權利要求1所述的電阻測試結構，其特征在于，

所述第一柵門與所述第二柵門平行排列，所述第一柵門與所述第二柵門位于所述第一漏區(qū)與所述第二漏區(qū)之間；

所述源區(qū)垂直于所述第一柵門和第二柵門，并且兩端分別延伸至所述第一漏區(qū)和第二漏區(qū)；

所述接觸孔位于所述源區(qū)在長度方向上的中心點的位置。

4.如權利要求3所述的電阻測試結構，其特征在于，

所述后端導線位于所述第一柵門和第二柵門之間，所述后端導線由尺寸相同的第一導線部和第二導線部構成，所述第一導線部位于所述接觸孔的一側，所述第二導線部位于所述接觸孔的另一側；

所述第二通孔位于所述第一導線部，所述第三通孔位于所述第二導線部，且所述第二通孔到所述接觸孔的距離、與所述第三通孔到所述接觸孔的距離相同。

5.如權利要求1所述的電阻測試結構，其特征在于，

所述第一漏區(qū)與所述第二漏區(qū)的尺寸相同；

所述第四通孔位于所述第一漏區(qū)在長度方向上的中心點的位置；

所述第五通孔位于所述第二漏區(qū)在長度方向上的中心點的位置。