[發明專利]顯示基板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 202011122805.5 | 申請日: | 2020-10-20 |
| 公開(公告)號: | CN112234090A | 公開(公告)日: | 2021-01-15 |
| 發明(設計)人: | 曹方旭;趙佳;王品凡 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L27/02;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 陶麗;曲鵬 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置,顯示基板包括顯示區和邊框區,顯示區包括多個子像素,顯示區包括主顯示區和多個角部顯示區,其中:角部顯示區包括第一顯示區和第二顯示區,第一顯示區的中心點與主顯示區的中心點之間的距離小于第二顯示區的中心點與主顯示區的中心點之間的距離;第一顯示區的子像素的結構與第二顯示區的子像素的結構不同。本公開通過對角部顯示區的子像素進行分區域設計,提高了角部顯示區的顯示質量,且滿足了角部顯示區的變形需求,提高了產品品質。
技術領域
本公開涉及但不限于顯示技術領域,尤其涉及一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術
隨著顯示技術的發展,曲面屏成為目前顯示領域的一大熱門。曲面屏包括顯示屏兩個相對的側邊具有一定的彎曲弧度形成的雙曲面屏,以及顯示屏的四個側邊均具有一定的彎曲弧度形成的四曲面屏等,其中,四曲面屏實現了全面的立體顯示,營造出顯示立體沉浸感,給用戶帶來更好的感官體驗,符合未來技術的發展趨勢。
發明內容
本公開實施例提供一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置,能夠提高角部顯示區的顯示質量,且滿足角部顯示區的變形需求。
本公開實施例提供了一種顯示基板,包括顯示區和邊框區,所述顯示區包括多個子像素,所述顯示區包括主顯示區和多個角部顯示區,其中:所述角部顯示區包括第一顯示區和第二顯示區,所述第一顯示區的中心點與所述主顯示區的中心點之間的距離小于所述第二顯示區的中心點與所述主顯示區的中心點之間的距離;所述第一顯示區的子像素的結構與所述第二顯示區的子像素的結構不同。
在一些示例性實施例中,在垂直于所述顯示基板的平面上,所述顯示基板包括基底以及在所述基底上疊設的驅動結構層和發光結構層,所述驅動結構層包括阻擋層、設置在所述阻擋層上的有源層、設置在所述有源層上的第一絕緣層、設置在所述第一絕緣層上的第一柵電極層、設置在所述第一柵電極層上的第二絕緣層、設置在所述第二絕緣層上的第二柵電極層、設置在所述第二柵電極層上的第三絕緣層以及設置在所述第三絕緣層上的源漏電極層,所述阻擋層、第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層中的至少一層在所述第二顯示區的厚度小于其在所述第一顯示區的厚度。
在一些示例性實施例中,在垂直于所述顯示基板的平面上,所述顯示基板包括基底以及在所述基底上疊設的驅動結構層和發光結構層,所述驅動結構層包括阻擋層、設置在所述阻擋層上的有源層、設置在所述有源層上的第一絕緣層、設置在所述第一絕緣層上的第一柵電極層、設置在所述第一柵電極層上的第二絕緣層、設置在所述第二絕緣層上的第二柵電極層、設置在所述第二柵電極層上的第三絕緣層以及設置在所述第三絕緣層上的源漏電極層,所述阻擋層、第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層中的至少一層在所述第一顯示區的厚度小于其在所述主顯示區的厚度;
所述第二顯示區設置有彼此隔開的多個島區、設置在相鄰島區之間的孔區以及連接相鄰島區的橋區,所述第二顯示區的子像素設置在所述島區,所述橋區設置有用于實現相鄰島區之間信號連通的連接線,所述孔區設置有至少一個開孔。
在一些示例性實施例中,所述第一顯示區設置有彼此隔開的多個第一島區、設置在相鄰第一島區之間的第一孔區以及連接相鄰第一島區的第一橋區,所述第一島區設置有所述第一顯示區的子像素,所述第一橋區設置有用于實現相鄰第一島區之間信號連通的連接線,所述第一孔區設置有至少一個第一開孔;
所述第二顯示區設置有彼此隔開的多個第二島區、設置在相鄰第二島區之間的第二孔區以及連接相鄰第二島區的第二橋區,所述第二島區設置有所述第二顯示區的子像素,所述第二橋區設置有用于實現相鄰第二島區之間信號連通的連接線,所述第二孔區設置有至少一個第二開孔;
所述第一開孔的圖案和所述第二開孔的圖案不同,且所述第一開孔在基底上的正投影的面積小于所述第二開孔在所述基底上的正投影的面積。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





