[發(fā)明專利]一種晶圓電性測(cè)試方法及測(cè)試設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011121614.7
• 申請(qǐng)日: 2020-10-20
• 公開（公告）號(hào): CN112014713B
• 公開（公告）日: 2021-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊锃;梁君麗;王柏翔;李芃葳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 晶芯成（北京）科技有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/26
• 分類號(hào): G01R31/26;H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

本發(fā)明提供一種晶圓電性測(cè)試方法及測(cè)試設(shè)備，將各電性測(cè)試項(xiàng)的通過條件定義在初始測(cè)試參數(shù)中，而后對(duì)晶圓上的多個(gè)位置區(qū)域依次進(jìn)行測(cè)試，在對(duì)一所述位置區(qū)域上一電性測(cè)試項(xiàng)進(jìn)行測(cè)試時(shí)，判斷所述位置區(qū)域上所述電性測(cè)試項(xiàng)的測(cè)試結(jié)果是否滿足所述通過條件；若不滿足，則即時(shí)重測(cè)所述電性測(cè)試項(xiàng)，若重測(cè)后滿足所述通過條件或重測(cè)次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)值，則開啟所述位置區(qū)域的下一電性測(cè)試項(xiàng)的測(cè)試或開啟下一位置區(qū)域的測(cè)試。即在晶圓某一位置區(qū)域的單項(xiàng)電性測(cè)試項(xiàng)測(cè)試NG后即時(shí)重測(cè)，如此，不僅有效解決了晶圓電性測(cè)試判定的滯后性，更大大縮短了電性測(cè)試NG晶圓重測(cè)的時(shí)間，另外，也可有效去除電性測(cè)試的異常跳點(diǎn)值，從而顯著提升測(cè)試的穩(wěn)定性及抗干擾能力。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種晶圓電性測(cè)試方法及測(cè)試設(shè)備。

背景技術(shù)

在晶圓制程的過程中可能由于各種原因（比如光刻不完整、腐蝕過度等）導(dǎo)致晶圓的電性特性異常。因此，在晶圓制程之后的電性測(cè)試是非常重要的一個(gè)環(huán)節(jié)，晶圓電性測(cè)試的功能主要有：篩選出電性性能不合格的晶圓，對(duì)晶圓器件的電性參數(shù)進(jìn)行監(jiān)控，從而來保持和改進(jìn)制程工藝的水平。

晶圓在測(cè)試設(shè)備上進(jìn)行測(cè)試時(shí)，可能由于外部原因?qū)е聹y(cè)試不良，比如第一遍測(cè)試時(shí)可能由于針卡尖端臟污(粘上塵埃、粘上晶圓焊盤上的鍍層等)或者針卡壓力過輕或者針卡位置偏移等導(dǎo)致將良品晶圓測(cè)試成了不良品晶圓。

現(xiàn)有的晶圓電性測(cè)試方法的測(cè)試流程包括：完成整批晶圓的電性測(cè)試之后，將電性測(cè)試結(jié)果上傳至判定系統(tǒng)，通過判定系統(tǒng)判定是否存在電性測(cè)試NG項(xiàng)，若存在，則對(duì)NG項(xiàng)所在晶圓進(jìn)行重測(cè)。

利用現(xiàn)有的晶圓電性測(cè)試方法進(jìn)行測(cè)試時(shí)，存在數(shù)據(jù)判定滯后以及重測(cè)耗時(shí)等問題，因此，改進(jìn)晶圓電性測(cè)試方法、提升晶圓電性測(cè)試效率、優(yōu)化晶圓電性測(cè)試流程具有十分突出的現(xiàn)實(shí)意義。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種晶圓電性測(cè)試方法及測(cè)試設(shè)備，以解決現(xiàn)有技術(shù)中一個(gè)或多個(gè)問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種晶圓電性測(cè)試方法，包括：

定義初始測(cè)試參數(shù)，所述初始測(cè)試參數(shù)包括各電性測(cè)試項(xiàng)的通過條件；

對(duì)晶圓上的多個(gè)位置區(qū)域依次進(jìn)行測(cè)試，在對(duì)一所述位置區(qū)域上一電性測(cè)試項(xiàng)進(jìn)行測(cè)試時(shí)，判斷所述位置區(qū)域上所述電性測(cè)試項(xiàng)的測(cè)試結(jié)果是否滿足所述通過條件；

若不滿足，則即時(shí)重測(cè)所述電性測(cè)試項(xiàng)，若重測(cè)后滿足所述通過條件或重測(cè)次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)值，則開啟所述位置區(qū)域的下一電性測(cè)試項(xiàng)的測(cè)試或開啟下一位置區(qū)域的測(cè)試；

若滿足，則開啟所述位置區(qū)域的下一電性測(cè)試項(xiàng)的測(cè)試或開啟下一位置區(qū)域的測(cè)試。

可選的，在所述的晶圓電性測(cè)試方法中，所述通過條件為上限閾值和下限閾值所限定的數(shù)值范圍；在判斷測(cè)試結(jié)果是否滿足所述通過條件時(shí)，若測(cè)試值在所述數(shù)值范圍內(nèi)時(shí)，則判斷為測(cè)試通過。

可選的，在所述的晶圓電性測(cè)試方法中，根據(jù)晶圓合規(guī)標(biāo)準(zhǔn)定義各所述電性測(cè)試項(xiàng)的所述數(shù)值范圍，定義的各所述電性測(cè)試項(xiàng)的所述數(shù)值范圍與所述晶圓合規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的取值范圍相同。

可選的，在所述的晶圓電性測(cè)試方法中，根據(jù)電性測(cè)試項(xiàng)穩(wěn)定標(biāo)準(zhǔn)定義各所述電性測(cè)試項(xiàng)的所述數(shù)值范圍，定義的各所述電性測(cè)試項(xiàng)的所述數(shù)值范圍在晶圓合規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的取值范圍內(nèi)。

可選的，在所述的晶圓電性測(cè)試方法中，在完成所有所述位置區(qū)域的測(cè)試后，所述晶圓電性測(cè)試方法還包括：將所述晶圓的各所述位置區(qū)域的各所述電性測(cè)試項(xiàng)的最后一次測(cè)試結(jié)果上傳至判定系統(tǒng)，以使所述判定系統(tǒng)判定所述晶圓是否合規(guī)。

可選的，在所述的晶圓電性測(cè)試方法中，所述晶圓電性測(cè)試方法還包括：

當(dāng)同一位置區(qū)域上所有所述電性測(cè)試項(xiàng)測(cè)試完成之后再開啟下一位置區(qū)域的測(cè)試。