[發(fā)明專利]一種硅基脊波導(dǎo)光電晶體管探測器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011120442.1
• 申請日: 2020-10-20
• 公開（公告）號: CN112420858B
• 公開（公告）日: 2022-09-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 謝紅云;向洋;沙印;朱富;紀(jì)瑞朗;張萬榮
• 申請（專利權(quán)）人: 北京工業(yè)大學(xué)
• 主分類號: H01L31/0232
• 分類號: H01L31/0232;H01L31/0288;H01L31/0352;H01L31/11
• 代理公司: 北京思海天達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11203
• 代理人: 劉萍

1.一種硅基脊波導(dǎo)光電晶體管探測器,其特征在于：包括Si襯底、SiO₂ BOX層、Si次集電區(qū)、Si集電區(qū)、Si_0.8Ge_0.2基區(qū)和多晶Si發(fā)射區(qū)；其中，SiO₂ BOX層的厚度介于0.2μm到0.4μm之間，摻有磷元素的Si次集電區(qū)的摻雜濃度介于2×10¹⁸ cm^-3到2×10²⁰ cm^-3之間且厚度介于0.2μm到0.4μm之間，摻有磷元素的Si集電區(qū)的摻雜濃度介于7×10¹⁵ cm^-3到7×10¹⁷ cm^-3之間且厚度介于0.5μm到0.7μm之間，摻有硼元素的Si_0.8Ge_0.2基區(qū)的摻雜濃度介于1×10¹⁵cm^-3到1×10¹⁷ cm^-3之間且厚度介于0.05μm到0.1μm之間，摻有磷元素的Si發(fā)射區(qū)的摻雜濃度介于2×10¹⁹ cm^-3到2×10²¹ cm^-3之間且厚度介于0.2μm到0.4μm之間；脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)由Si次集電區(qū)、Si集電區(qū)、Si_0.8Ge_0.2基區(qū)和多晶Si發(fā)射區(qū)構(gòu)成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種硅基脊波導(dǎo)光電晶體管探測器，其特征在于：脊波導(dǎo)的寬度為2.5-3μm，長度≥20μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種硅基脊波導(dǎo)光電晶體管探測器，其中入射光由Si次集電區(qū)、Si集電區(qū)、Si_0.8Ge_0.2基區(qū)和多晶Si發(fā)射區(qū)構(gòu)成的脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的端面?zhèn)认蛉肷洌刂▽?dǎo)方向水平傳輸，與電子和空穴輸運方向垂直。