[發明專利]一種低功耗恒流的控制電路及方法

在審

• 申請號: 202011120396.5
• 申請日: 2020-10-19
• 公開（公告）號: CN112105123A
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發明（設計）人: 張攀
• 申請（專利權）人: 美芯晟科技（北京）有限公司
• 主分類號: H05B45/345
• 分類號: H05B45/345;H05B45/37
• 代理公司: 北京一枝筆知識產權代理事務所(普通合伙) 11791
• 代理人: 張慶瑞

本發明公開了一種低功耗恒流控制電路，其第二比較器輸出端連接第二開關單元，通過第二開關單元控制負載電流的恒定。第二比較器通過第二基準產生模塊從母線直接取電保證其工作電壓，避免從負載低電位端取電導致的主功率恒流控制模塊的電壓過高從而功耗過大的問題，從母線取電的方式有效降低電路的功耗，實現電路的高效率。本發明還公開了一種低功耗恒流的控制方法，該方法解決現在技術所存在的由于傳統線性芯片的JFET和POWERMOS集成在一起，芯片從V_LED?端取電，導致主功率環路芯片的效率降低的問題，有效提高LED驅動電路的工作效率。本發明作用效果顯著，適于廣泛推廣。

技術領域

本發明涉及LED驅動電路技術領域，特別涉及，一種低功耗恒流的控制電路及方法。

背景技術

LED(Light Emitting Diode發光二極管)照明具有亮度高、效率高、壽命長等優勢被廣泛采用。近年來隨著社會的進步，對LED照明有了更高的要求，要求高PF(Power Factor功率因數)、無頻閃、高效率，從而降低對人眼的傷害，并且提高對能源的利用率。

目前，傳統的LED驅動是通過兩個單獨的線性芯片配合使用來實現的，一顆芯片做充電環路來實現高PF；另一顆芯片做主功率恒流環路來實現無頻閃(如圖1至圖5所示)，傳統的LED驅動電路主要包括電源、電容和LED，傳統線性芯片的JFET(Junction Field-Effect Transistor結型場效應晶體管)和POWERMOS是集成在一起的，芯片需要從V_LED-端取電，且獲取的電壓要高于芯片正常工作所需的最小工作電壓V_ST芯片才能正常工作，而V_ST一般遠高于芯片正常工作時V_G-V_TH的電壓，為了消除頻閃，母線波谷的電壓V_IN必須大于V_LED+V_ST，主功率環路芯片的功耗P_LOSS＝I_LED×V_LED-＝I_LED×V_ST，這無疑會使主功率環路芯片上產生更多的損耗，導致效率降低。

針對上述問題，亟需設計一種解決現有技術存在的由于傳統線性芯片的JFET和POWERMOS是集成在一起的，芯片需要從V_LED-端取電，導致主功率環路芯片的效率降低的問題的電路及方法。

發明內容

針對上述缺陷，本發明解決的技術問題在于，提供一種低功耗恒流的控制電路及方法，以解決現在技術所存在的由于傳統線性芯片的JFET和POWERMOS是集成在一起的，芯片需要從V_LED-端取電，導致主功率環路芯片的效率降低的問題。

本發明提供了一種低功耗恒流控制電路包括整流模塊、負載和主功率恒流控制模塊，所述主功率恒流控制模塊包括第二比較器、第二基準產生模塊和第二開關單元，其中所述第二基準產生模塊接入母線電源并為所述第二比較器提供第二基準參考值；所述第二比較器獲取所述負載電信號并與所述第二基準參考值比較，進而控制所述第二開關單元工作。

優選地，還包括充電環路恒流控制模塊，所述充電環路恒流控制模塊包括第一比較器、第一基準產生模塊和第一開關單元，其中所述第一基準產生模塊接入母線電源并為所述第一比較器提供第一基準參考值；

所述充電環路恒流控制模塊上連接有儲能模塊，所述儲能模塊和所述充電環路恒流控制模塊連接在所述整流模塊的兩端；

所述第一比較器獲取所述儲能模塊電信號并與所述第一基準參考值比較，進而控制所述第一開關單元工作；

所述儲能模塊低電位端通過二極管接地，所述二極管正極接地，負極與所述儲能模塊連接。

優選地，所述主功率恒流控制模塊與所述充電環路恒流控制模塊采用同一基準產生模塊。