[發(fā)明專利]傳感器結(jié)構(gòu)和傳感器結(jié)構(gòu)的形成方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011119399.7
• 申請(qǐng)日: 2020-10-19
• 公開（公告）號(hào): CN112310135A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅文哲;王林;黃金德;胡萬景
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 銳芯微電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣

1.一種傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

若干芯片結(jié)構(gòu)，若干所述芯片結(jié)構(gòu)呈二維陣列排布；

所述芯片結(jié)構(gòu)包括相互鍵合的第一芯片和第二芯片，所述第一芯片內(nèi)具有傳感器陣列，所述第二芯片內(nèi)具有與傳感器陣列電連接的電路結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：基板；若干所述芯片結(jié)構(gòu)位于基板上，且若干所述芯片結(jié)構(gòu)與基板連接。

3.如權(quán)利要求2所述的傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板包括集成電路板。

4.如權(quán)利要求2所述的傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：位于若干所述芯片結(jié)構(gòu)與基板之間的粘結(jié)層。

5.如權(quán)利要求4所述的傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述粘結(jié)層的材料包括絕緣材料；所述絕緣材料包括熱固膠。

6.如權(quán)利要求1所述的傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述傳感器陣列包括圖像傳感器陣列。

7.如權(quán)利要求1所述的傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一芯片包括相對(duì)的第一面和第二面，所述傳感器陣列位于第一面上，所述傳感器陣列包括若干傳感器單元，任一所述傳感器單元與對(duì)應(yīng)的電路結(jié)構(gòu)電連接；所述第二芯片包括相對(duì)的第三面和第四面，所述第二芯片第三面上具有電路層，所述電路結(jié)構(gòu)位于電路層內(nèi)；所述第一芯片的第二面與第二芯片的第三面鍵合。

8.如權(quán)利要求7所述的傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片結(jié)構(gòu)還包括：若干第一硅通孔結(jié)構(gòu)，所述第一硅通孔結(jié)構(gòu)從第一芯片第二面向第一面延伸，任一所述第一硅通孔結(jié)構(gòu)與一個(gè)所述傳感器單元電連接，且若干所述第一硅通孔結(jié)構(gòu)與所述電路結(jié)構(gòu)電連接；若干第二硅通孔結(jié)構(gòu)，所述第二硅通孔結(jié)構(gòu)從第二芯片第四面向第三面延伸，所述第二硅通孔結(jié)構(gòu)與所述電路結(jié)構(gòu)電連接。

9.如權(quán)利要求8所述的傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一硅通孔結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電層和位于第一導(dǎo)電層與第一芯片之間的第一絕緣層；所述第二硅通孔結(jié)構(gòu)包括第二導(dǎo)電層和位于第二導(dǎo)電層與第二芯片之間的第二絕緣層。

10.如權(quán)利要求9所述的傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層的材料包括金屬，所述金屬包括鎢、銅、鈷、氮化鈦、鈦、鉭、氮化鉭、釕、氮化釕和鋁中的一種或多種的組合；所述第一導(dǎo)電層的材料包括金屬，所述金屬包括鎢、銅、鈷、氮化鈦、鈦、鉭、氮化鉭、釕、氮化釕和鋁中的一種或多種的組合。

11.如權(quán)利要求9所述的傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一絕緣層的材料包括氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氧化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氮碳化硅和氮碳氧化硅中的一種或多種的組合；所述第二絕緣層的材料包括氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氧化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氮碳化硅和氮碳氧化硅中的一種或多種的組合。

12.如權(quán)利要求7所述的傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片結(jié)構(gòu)還包括：位于第二芯片第四面上的再布線結(jié)構(gòu)；所述再布線結(jié)構(gòu)包括鈍化層和位于鈍化層內(nèi)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與第二硅通孔結(jié)構(gòu)電連接。

13.如權(quán)利要求12所述的傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片結(jié)構(gòu)還包括：位于再布線結(jié)構(gòu)上的若干金屬引腳，所述金屬引腳與所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連接。

14.如權(quán)利要求13所述的傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬引腳包括焊球、銅柱、金針或焊盤。

15.如權(quán)利要求7所述的傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述傳感器陣列距第一芯片邊緣具有第一間距，相鄰芯片結(jié)構(gòu)之間具有第二間距，傳感器單元具有第三間距；所述第一間距小于所述第三間距，且所述第二間距加2倍的第一間距為1～3倍的第三間距。