[發明專利]一種Zn-Mg雙相異構材料及其制備方法有效
| 申請號: | 202011113751.6 | 申請日: | 2020-10-17 |
| 公開(公告)號: | CN112501474B | 公開(公告)日: | 2021-11-12 |
| 發明(設計)人: | 石章智;陳虹廷;孫疆;游明樂 | 申請(專利權)人: | 北京科技大學 |
| 主分類號: | C22C18/00 | 分類號: | C22C18/00;C22C23/04;C22F1/06;C22F1/16;C21D1/26;A61L31/14;A61L31/02;A61L27/58;A61L27/04 |
| 代理公司: | 北京市廣友專利事務所有限責任公司 11237 | 代理人: | 張仲波 |
| 地址: | 100083*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 zn mg 相異 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種Zn-Mg雙相異構材料,其特征在于微觀組織具有以下特征:(1)由Zn相和Mg相組成,其中,Zn相是純鋅或鋅合金,體積分數為30%~99%,晶粒尺寸≤5μm,Mg相是純鎂或鎂合金,占有剩余的體積分數,晶粒尺寸≤10μm;(2)Mg相間斷分布于Zn相中,Mg相的尺寸≤50μm,相鄰Mg相之間的間距≥50nm;(3)小的Zn晶粒包圍大的Mg晶粒;所述材料采用“變溫大塑性變形+再結晶間隙退火”的方法制備;
所述Zn-Mg雙相異構材料的“變溫大塑性變形+再結晶間隙退火”,其對應的工藝流程為:疊合組坯→變溫大塑性變形→再結晶間隙退火;所述疊合組坯使用的材料為鎂和鋅的板材、管材或棒材,其中的鎂為純鎂和鎂合金,鋅為純鋅和鋅合金;多層進行疊合,最外層是鋅,疊合前進行表面處理,去除材料表面的污染物和氧化層;所述變溫大塑性變形包括變溫累積疊軋或變溫累積擠壓;所述變溫累積疊軋≥5道次,單道次壓下量為20~80%,隨著變形道次的增加,控制變形溫度逐步從380℃降至室溫;所述變溫累積擠壓≥5道次,單道次擠壓比≥4,隨著變形道次的增加,控制變形溫度逐步從380℃降至130℃;所述再結晶間隙退火的溫度在鋅和鎂的再結晶溫度之間,具體溫度為50~250℃,保溫時間為1min~10h;控制溫度、保溫時間和加熱速度達到Mg和Zn之間發生原子互擴散,但又不形成金屬間化合物的效果。
2.如權利要求1中所述的Zn-Mg雙相異構材料,其特征在于所述的Zn-Mg雙相異構材料中的Mg相,除了含有Mg,還含有合金化元素M1,M1包括Zn、Ca、Sr、Mn、Sn、In、Ga、Ge、Bi、Co、Ag、Cu、Si、Zr、Li、Na、K、Fe、Ti、Al、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Th中的至少一種,上述合金化元素M1含量均為0~10wt.%。
3.如權利要求1中所述的Zn-Mg雙相異構材料,其特征在于所述的Zn-Mg雙相異構材料中的Zn相,除了含有Zn,還含有合金化元素M2,M2包括Mg、Ca、Sr、Mn、Sn、In、Ga、Ge、Bi、Co、Ag、Cu、Si、Zr、Li、Na、K、Fe、Ti、Al、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Th、Au中的至少一種,上述合金化元素M2含量均為0~5wt.%。
4.一種如權利要求1所述的Zn-Mg雙相異構材料的制備方法,其特征在于所述Zn-Mg雙相異構材料的“變溫大塑性變形+再結晶間隙退火”,其對應的工藝流程為:疊合組坯→變溫大塑性變形→再結晶間隙退火。
5.如權利要求4所述的Zn-Mg雙相異構材料的制備方法,其特征在于所述疊合組坯使用的材料為鎂和鋅的板材、管材或棒材,其中的鎂為純鎂和鎂合金,鋅為純鋅和鋅合金;多層進行疊合,最外層是鋅,疊合前進行表面處理,去除材料表面的污染物和氧化層;所述變溫大塑性變形包括變溫累積疊軋或變溫累積擠壓;所述變溫累積疊軋≥5道次,單道次壓下量為20~80%,隨著變形道次的增加,控制變形溫度逐步從380℃降至室溫;所述變溫累積擠壓≥5道次,單道次擠壓比≥4,隨著變形道次的增加,控制變形溫度逐步從380℃降至130℃;所述再結晶間隙退火的溫度在鋅和鎂的再結晶溫度之間,具體溫度為50~250℃,保溫時間為1min~10h;控制溫度、保溫時間和加熱速度達到Mg和Zn之間發生原子互擴散,但又不形成金屬間化合物的效果。
6.如權利要求4中所述Zn-Mg雙相異構材料的制備方法,其特征在于Zn-Mg雙相異構材料的屈服強度>250MPa,抗拉強度>300MPa,延伸率>20%;彈性模量為60~90GPa;在37℃的Hank's溶液中的降解速率為30~500μm/year;為期60天的測定周期內氫氣釋放速率始終維持在1~2μL/cm2/h的較低水平且未觀察到早期突釋現象。
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