[發(fā)明專利]改良的HEMT器件及其制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011107905.0
• 申請(qǐng)日: 2020-10-20
• 公開（公告）號(hào): CN112242391A
• 公開（公告）日: 2021-01-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 于國浩;張寶順
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州能屋電子科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/085
• 分類號(hào): H01L27/085;H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06;H01L29/417
• 代理公司: 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32256
• 代理人: 王鋒

1.一種改良的HEMT器件，其特征在于包括沿設(shè)定方向排列的多個(gè)單胞，每一單胞均是直接在用于制作HEMT器件的半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)中加工形成的獨(dú)立功能單元，其中相鄰兩個(gè)單胞之間設(shè)置有隔離區(qū)，并且該相鄰兩個(gè)單胞共用源極或漏極，該相鄰兩個(gè)單胞之間的隔離區(qū)分布于該共用的源極或漏極下方。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述改良的HEMT器件，其特征在于：所述隔離區(qū)為形成在所述半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)中的高阻區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述改良的HEMT器件，其特征在于：所述隔離區(qū)是通過對(duì)所述半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)中相鄰單胞之間的區(qū)域進(jìn)行離子注入或刻蝕而形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述改良的HEMT器件，其特征在于：其中一個(gè)單胞分別與位于其相對(duì)兩側(cè)的兩個(gè)單胞共用源極、漏極。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述改良的HEMT器件，其特征在于：所述復(fù)數(shù)個(gè)單胞的源極彼此電連接，所述復(fù)數(shù)個(gè)單胞的漏極彼此電連接，且所述復(fù)數(shù)個(gè)單胞的柵極也彼此電連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述改良的HEMT器件，其特征在于：所述半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)包括異質(zhì)結(jié)，所述異質(zhì)結(jié)包括第一半導(dǎo)體和形成于第一半導(dǎo)體上的第二半導(dǎo)體，所述第二半導(dǎo)體具有寬于第一半導(dǎo)體的帶隙，所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)中形成有二維電子氣；和/或，任一單胞的源極與漏極通過該單胞內(nèi)部的二維電子氣連接，且該任一單胞的柵極設(shè)于源極、漏極之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述改良的HEMT器件，其特征在于：所述源極、漏極為叉指結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述改良的HEMT器件，其特征在于：所述HEMT器件為GaN基HEMT器件。

9.權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述改良的HEMT器件的制作方法，其特征在于包括：

于襯底上生長形成用于制作HEMT器件的半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)；

在所述半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)中形成多個(gè)隔離區(qū)，使在所述半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)中加工形成的多個(gè)單胞彼此隔離；以及

制作與每一單胞配合的源極、漏極和柵極，且使相鄰兩個(gè)單胞共用源極或漏極，并該相鄰兩個(gè)單胞之間的隔離區(qū)分布于該共用的源極或漏極下方。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制作方法，其特征在于包括：至少采用離子注入方式使所述半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)中相鄰單胞之間的區(qū)域被轉(zhuǎn)變?yōu)楦咦鑵^(qū)，從而形成所述隔離區(qū)；或者，對(duì)所述半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)中相鄰單胞之間的區(qū)域進(jìn)行刻蝕，并填充入絕緣介質(zhì)材料，從而形成所述隔離區(qū)。