[發明專利]一種帶有超高速接口手機OLED屏幕緩存芯片

有效

• 申請號: 202011106267.0
• 申請日: 2020-10-16
• 公開（公告）號: CN111930663B
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 廖炳隆;薛佳偉;馬翔
• 申請（專利權）人: 南京初芯集成電路有限公司
• 主分類號: G06F13/40
• 分類號: G06F13/40;G06F1/3234;G06F1/04
• 代理公司: 南京鑫之航知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32410
• 代理人: 汪慶朋

本發明公開了一種帶有超高速接口手機OLED屏幕緩存芯片，屬于數據存儲技術領域,包括緩存存儲芯片，所述緩存存儲芯片包括連接于主體芯片的系統芯片總線接口；所述系統芯片總線接口包括用于輸出驅動和接收信號的輸入輸出單元、以及與輸入輸出單元連接的用于外部電路數據傳輸的連接器；用于數據保存和讀取的靜態隨機存取單元；所述靜態隨機存取單元設有靜態存儲編譯器；糾正模塊；用于從設備主體輸入的數據信號轉換為屏幕驅動芯片所需的信號的控制模塊；用于顯示驅動芯片提供數據通道的高速連接接口，所述高速連接接口包括超高速接口電路、芯片管腳處理模塊；該帶有超高速接口手機OLED屏幕緩存芯片,降低了功耗。

技術領域

本發明屬于數據存儲技術領域，具體涉及帶有超高速接口手機OLED屏幕緩存芯片。

背景技術

手機OLED屏幕所用的整合型 DDI 驅動芯片含內存緩沖的單一芯片，受限于高壓的工藝制成能力（8V HV的28nm的工藝制成難度高）與內存緩沖的容量限制（目前只能32M），所以使用3倍壓縮內存技術，但每次解壓縮的功耗很高；隨著OLED屏分辨率的快速提升，勢必要放棄壓縮內存的方式，以降低功耗。其次整合型 DDI 驅動芯片含內存緩沖的單一芯片，與高壓電路，邏輯電路整合在同一顆芯片內，內存緩沖的容量受到限制（目前只能32M），隨著OLED屏分辨率的快速提升，需要至少64M以上的容量才足以應付中高階的OLED屏；另外整合型 DDI 驅動芯片含內存緩沖的單一芯片不具備高速接口，不足以應付任何大屏幕、分辨率高、刷新速度高的產品。本發明主要目的是解決功耗、緩存容量、頻寬等限制。

功耗問題：整合型 DDI 驅動芯片含內存緩沖的單一芯片，受限于高壓的工藝制成能力（6V HV的28nm的工藝制成難度高）與內存緩沖的容量限制（目前只能32M），所以使用3倍壓縮內存技術，但每次解壓縮的功耗很高；隨著OLED屏分辨率的快速提升，勢必要放棄壓縮內存的方式，以降低功耗。

緩存容量問題：整合型 DDI 驅動芯片含內存緩沖的單一芯片，與高壓電路，邏輯電路整合在同一顆芯片內，內存緩沖的容量受到限制（目前只能32M），隨著OLED屏分辨率的快速提升，需要至少64M以上的容量才足以應付中高階的OLED屏。

頻寬問題：整合型 DDI 驅動芯片含內存緩沖的單一芯片不具備高速接口，以120Hz FHD 總頻寬的要求是8Gb/s，分離后的SDM的芯片，IO的部分采用高速接口的設計，韓國對頻寬的規格要求到36Gb/s），超越目前使用規格的4倍以上，已可以用到4K面板，120Hz?？蓱度魏未笃聊?、分辨率高、刷新速度高的產品。

隨著OLED屏在手機上應用上的滲透率逐漸增大，消費市場對手機OLED屏幕提出了尺寸更大，分辨率更高的要求，從而導致目前屏幕驅動芯片(DDI)內嵌靜態隨機存取緩存模塊的芯片的面積占比大，功耗高等弱點逐漸凸顯出來；現有的OLED屏幕都帶有一顆顯示驅動芯片，主要三大塊組成，一個是電源模塊、一個存儲模塊、一個邏輯模塊；目前高分辨率OLED 屏幕驅動芯片所面臨高功耗問題、緩存容量不足、頻寬不夠的問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種帶有超高速接口手機OLED屏幕緩存芯片，以解決傳統驅動芯片高功耗問題、緩存容量不足、頻寬不夠的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：一種帶有超高速接口手機OLED屏幕緩存芯片，包括緩存存儲芯片，所述緩存存儲芯片包括連接于主體芯片的系統芯片總線接口、用于數據保存和讀取的靜態隨機存取單元、糾正模塊、用于顯示驅動芯片提供數據通道的高速連接接口；所述系統芯片總線接口包括用于輸出驅動和接收信號的輸入輸出單元、以及與輸入輸出單元連接的用于外部電路數據傳輸的連接器；

所述靜態隨機存取單元設有靜態存儲編譯器；

糾正模塊；

用于從設備主體輸入的數據信號轉換為屏幕驅動芯片所需的信號的控制模塊；