[發明專利]極片及包含其的電化學裝置和電子設備在審
| 申請號: | 202011104624.X | 申請日: | 2020-10-15 |
| 公開(公告)號: | CN112151753A | 公開(公告)日: | 2020-12-29 |
| 發明(設計)人: | 江兵;王可飛 | 申請(專利權)人: | 寧德新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H01M4/13 | 分類號: | H01M4/13;H01M4/139;H01M4/62;H01M10/0525;H01M10/0567;H01M10/42 |
| 代理公司: | 北京匯思誠業知識產權代理有限公司 11444 | 代理人: | 肖麗 |
| 地址: | 352100 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 包含 電化學 裝置 電子設備 | ||
1.一種極片,其特征在于,包括:
集流體;以及
膜片,所述膜片包括設置于所述集流體表面的底涂層和設置于所述底涂層表面的活性物質層,所述底涂層包括第一粘結劑和第一導電劑;
其中,所述膜片與所述集流體的粘結力為≥20N/m。
2.根據權利要求1所述的極片,其特征在于,所述底涂層的厚度為100nm至2μm;優選為100nm至1000nm。
3.根據權利要求1所述的極片,其特征在于,所述極片具有以下特征中的至少一個:
a.所述膜片與所述集流體的粘結力為≥80N/m;
b.所述膜片的壓實密度為1.30g/cm3至1.80g/cm3;
c.所述膜片的孔隙率為20%至50%;
d.所述膜片的電阻為3mΩ至50mΩ。
4.根據權利要求1所述的極片,其特征在于,所述極片具有以下特征中的至少一個:
e.所述底涂層中的第一粘結劑的質量含量為20%至95%;所述底涂層中的第一導電劑的質量含量為5%至80%;
f.所述第一粘結劑包括碳碳雙鍵、羧基、羰基、碳氮單鍵、羥基、酯基、酰基或芳基官能團中的至少一種;
g.所述第一粘結劑包括丁苯橡膠、聚丙烯酸、聚乙烯吡咯烷酮或聚丙烯酰胺中的至少一種;
h.所述第一導電劑包括導電炭黑、柯琴黑、單壁碳納米管或多壁碳納米管中的至少一種。
5.根據權利要求1所述的極片,其特征在于,所述第一導電劑的顆粒平均粒徑或管平均直徑D與所述底涂層厚度H的關系滿足:
D與H的比值D/H為0.25~1.5;優選為0.5~1.25。
6.根據權利要求1所述的極片,其特征在于,
所述活性物質層包括活性物質和第二粘結劑;其具有以下特征中的至少一個:
i.所述活性物質包括石墨類材料或硅基材料中的至少一種,所述硅基材料包括硅、硅氧化物、硅碳復合物或硅合金中的至少一種;
j.所述活性物質層包括質量含量為80%至99%的活性物質、0.8%至20%的第二粘結劑和0至5%的第二導電劑。
7.一種電化學裝置,包括:
正極極片;
負極極片;
隔離膜,設置于所述正極極片和所述負極極片之間;
其特征在于,所述負極極片為根據權利要求1-6任一項所述的極片。
8.根據權利要求7所述的電化學裝置,其特征在于,所述電化學裝置包括電解液,所述電解液包括含S=O雙鍵的化合物。
9.根據權利要求8所述的電化學裝置,其特征在于,所述電化學裝置具有以下特征中的至少一個:
k.所述含S=O雙鍵的化合物包括環狀硫酸酯、鏈狀硫酸酯、鏈狀磺酸酯、環狀磺酸酯、鏈狀亞硫酸酯或環狀亞硫酸酯中的至少一種;
l.所述含S=O雙鍵化合物包括式1所示化合物中的至少一種,
其中:
W選自
L選自單鍵或亞甲基;
m為1至4的整數;
n為0至2的整數;且
p為0至6的整數。
10.根據權利要求9所述的電化學裝置,所述含S=O雙鍵的化合物在所述電解液中的質量百分含量y與膜片孔隙率V的關系滿足:
0.01≤y/V≤0.07。
11.一種電子設備,其特征在于,包括權利要求7-10任一項所述的電化學裝置。
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