[發明專利]沉積掩模、使用沉積掩模制造顯示裝置的方法和顯示裝置

在審

• 申請號: 202011102873.5
• 申請日: 2020-10-15
• 公開（公告）號: CN112864171A
• 公開（公告）日: 2021-05-28
• 發明（設計）人: 金楨國;文英慜
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32;H01L27/15;H01L51/56
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 張曉;陳亞男

提供了一種沉積掩模、一種使用該沉積掩模制造顯示裝置的方法和一種顯示裝置。沉積掩模包括：主框架，限定第一開口；肋，遠離主框架的一側延伸，肋彼此分開并限定第二開口；以及橋接件，橫跨第二開口使肋彼此連接，其中，橋接件和肋形成同一頂表面，并且橋接件中的每個的厚度比肋中的每個肋的厚度小。

本申請要求于2019年11月26日在韓國知識產權局提交的第10-2019-0153544號韓國專利申請的優先權和權益，該韓國專利申請的全部內容通過引用包含于此。

技術領域

一個或更多個實施例涉及一種沉積掩模、使用該沉積掩模制造顯示裝置的方法以及顯示裝置。

背景技術

近來，顯示裝置的使用已經變得多樣化。隨著顯示裝置已經變得更薄和更輕，它們的使用范圍已經逐漸擴展。

由于顯示設備可以以各種方式使用，所以顯示裝置已經被設計為具有各種形狀。此外，可以與顯示裝置組合或相關聯的功能繼續增加。

將理解的是，本背景技術部分旨在部分地提供用于理解技術的有用的背景。然而，本背景技術部分還可以包括在這里公開的主題的相應有效提交日期之前不是相關領域的技術人員已知或了解的一部分的思想、構思或認識。

發明內容

一個或更多個實施例可以包括沉積掩模、使用該沉積掩模制造顯示裝置的方法和顯示裝置。

另外的方面將在下面的描述中部分地闡述，并且部分地通過該描述將是明顯的，或者可通過公開的給出的實施例的實踐而習得。

根據一個或更多個實施，一種沉積掩模可以包括：主框架，限定第一開口；肋，遠離主框架的一側延伸，肋彼此分開并限定第二開口；以及橋接件，橫跨第二開口使肋彼此連接，其中，橋接件和肋可以形成同一頂表面，并且橋接件中的每個橋接件的厚度可以比肋中的每個肋的厚度小。

每個橋接件的剖面可以具有倒三角形形狀，剖面與每個橋接件的縱向方向垂直。

每個橋接件的在垂直于每個橋接件的縱向方向的方向上的寬度可以比每個橋接件的厚度小，并且每個肋的厚度與每個橋接件的厚度之間的差可以為每個橋接件的寬度的至少約0.5倍。

主框架的與第二開口相鄰的區域可以具有與橋接件的形狀相同的形狀。

根據一個或更多個實施例，一種顯示裝置可以包括：基底；第一顯示區域，包括設置在基底之上的第一像素；以及第二顯示區域，包括設置在基底之上的第二像素并且具有與第一顯示區域的分辨率不同的分辨率，其中，第一像素和第二像素可以包括共電極，共電極可以包括：主共電極，與第一顯示區域對應；以及延伸部分，從主共電極延伸至第二顯示區域并彼此分開，并且延伸部分中的每個包括位于第二像素之間的第一區域，第一區域比主共電極薄。

共電極還可以包括在主共電極和延伸部分的連接部分中比主共電極薄的第二區域。

第一區域可以與延伸部分之中的對應的延伸部分交叉。

透射區域可以在第二顯示區域中限定在延伸部分之間，并且共電極可以不設置在透射區域中。

第二顯示區域的分辨率可以比第一顯示區域的分辨率小。

顯示裝置還可以包括用于檢測外部信號的組件，所述組件設置在與第二顯示區域疊置的位置處。

第一像素和第二像素中的每個可以包括：薄膜晶體管；以及有機發光二極管，電連接到薄膜晶體管，阻擋層可以在第二顯示區域中進一步設置在薄膜晶體管與基底之間。

第一緩沖層和第二緩沖層可以進一步設置在基底上，并且阻擋層可以設置在第一緩沖層與第二緩沖層之間。

薄膜晶體管的有源層可以包括硅材料，第一緩沖層可以包括氮化硅，并且第二緩沖層可以包括氧化硅。