[發明專利]一種射頻功率放大器的自適應電路結構及射頻功率放大器在審
| 申請號： | 202011102335.6 | 申請日： | 2020-10-15 |
| 公開（公告）號： | CN112187192A | 公開（公告）日： | 2021-01-05 |
| 發明（設計）人： | 蔡穎斌;章國豪;唐浩;黃國宏 | 申請（專利權）人： | 廣東工業大學 |
| 主分類號： | H03F3/189 | 分類號： | H03F3/189;H03F1/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 楊小紅 |
| 地址： | 510060 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 射頻 功率放大器 自適應 電路 結構 | ||
1.一種射頻功率放大器的自適應電路結構，其特征在于，包括：控制電路、反饋回路和第一電容；所述控制電路包括：第一電阻、第二電阻、第二電容和第一MOS管；所述反饋回路包括：第二MOS管；
所述第二電容的第一端與射頻功率放大器件的輸入端相連，第二端分別與所述第一電阻的第一端和所述第一MOS管的柵極相連，所述第一MOS管的源極接地，所述第一電阻的第二端連接于偏置電壓；
所述第一MOS管的漏極分別與所述第二電阻的第一端和所述第二MOS管的柵極相連，所述第二MOS管的源極與所述射頻功率放大器件的輸入端相連，所述第二電阻的第二端連接于供電電壓；
所述第二MOS管的漏極與所述第一電容的第一端相連，所述第一電容的第二端與所述射頻功率放大器件的輸出端相連。
2.根據權利要求1所述的射頻功率放大器的自適應電路結構，其特征在于，所述反饋回路還包括：第三電阻；
所述第三電阻的第一端與所述第二MOS管的漏極相連，第二端與所述第一電容的第一端相連。
3.根據權利要求1所述的射頻功率放大器的自適應電路結構，其特征在于，所述控制電路還包括：第四電阻；
所述第四電阻的第一端分別與所述第一MOS管的漏極和所述第二電阻的第一端相連，第二端與所述第二MOS管的柵極相連。
4.根據權利要求2所述的射頻功率放大器的自適應電路結構，其特征在于，還包括：輸入匹配電路和輸出匹配電路；
所述輸入匹配電路的第一端與所述增益補償網絡的第一端相連，第二端與所述第二電容的第一端相連；
所述輸出匹配電路的第一端分別與所述射頻功率放大器件的輸出端和所述第一電容的第二端相連。
5.根據權利要求4所述的射頻功率放大器的自適應電路結構，其特征在于，還包括：增益補償網絡；所述增益補償網絡包括：第五電阻和第三電容；所述第五電阻的第一端與所述第三電容的第一端相連，所述第五電阻的第二端與所述第三電容的第二端相連；
所述增益補償網絡的第一端與所述第二電容的第一端相連，第二端分別與所述射頻功率放大器件的輸入端和所述第二MOS管的源極相連。
6.根據權利要求5所述的射頻功率放大器的自適應電路結構，其特征在于，所述增益補償網絡包括：第六電阻、第一電感和第四電容；
所述第一電感的第一端與所述第六電阻的第一端相連，第二端與所述第四電容的第一端相連；
所述第六電阻的第二端分別與所述第二電容的第一端和所述的射頻功率放大器件的輸入端相連，所述第四電容的第二端接地。
7.一種射頻功率放大器，其特征在于，所述射頻功率放大器的輸入端和輸出端之間設置有多條通道，且各個所述通道均設置有如權利要求6所述射頻功率放大器的自適應電路結構和射頻功率放大器件；
所述輸入端與各個所述自適應電路結構的輸入匹配電路和第二電容分別相連，所述輸出端與各個所述自適應電路結構的輸出匹配電路相連；
各個所述自適應電路結構的增益補償網絡與所述射頻功率放大器件的輸入端相連，各個所述自適應電路結構的輸出匹配電路與所述射頻功率放大器件的輸出端相連。
8.根據權利要求7所述的射頻功率放大器，其特征在于，還包括：第一電感耦合器和第二電感耦合器；
所述第一電感耦合器的第一端與所述輸入端相連，第二端分別與各個所述輸入匹配電路和所述自適應電路結構的第二電容相連；
所述第二電感耦合器的第一端與所述輸出端相連，第二端與各個所述輸出匹配電路相連。
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