[發明專利]激光照射裝置在審
| 申請號: | 202011101674.2 | 申請日: | 2020-10-15 |
| 公開(公告)號: | CN113441853A | 公開(公告)日: | 2021-09-28 |
| 發明(設計)人: | 林東彥;金泳植;金志洙;金炫眞;柳壎澈 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | B23K26/53 | 分類號: | B23K26/53;B23K26/70;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京金宏來專利代理事務所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 樸英淑 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 激光 照射 裝置 | ||
激光照射裝置可以包括:光學系統,照射激光束;密封盒,包括截斷從所述光學系統提供的所述激光束的兩末端來使所述激光束通過的多個光束切割器;腔體,包括支承基板的工作臺,以向該基板照射從所述密封盒提供的所述激光束;排氣部,與所述密封盒連接;第一傳感器,配置在所述密封盒內,且測量所述密封盒內的溫度;以及控制部,根據由所述第一傳感器測量出的測量溫度,控制所述排氣部使得所述排氣部的排氣壓力可變。
技術領域
本發明涉及激光照射裝置以及利用其的顯示面板的制造方法。
背景技術
通常,向使用者提供圖像的智能電話、數碼相機、筆記本電腦、導航儀以及智能電視機等電子設備包括用于顯示圖像的顯示裝置。顯示裝置生成圖像,并將生成的圖像通過顯示畫面提供給使用者。
顯示裝置包括:顯示面板,包括用于生成圖像的多個像素;以及驅動部,用于驅動顯示面板。各像素分別包括晶體管以及與晶體管連接的發光元件。晶體管包括源電極、漏電極、柵電極以及半導體層。
為了提高晶體管的電特性,通過將非晶硅(amorphous silicon)結晶化的多晶硅(結晶硅)來形成半導體層。為了形成多晶硅,需要進行向非晶硅照射激光束的結晶化工序。
發明內容
本發明的目的在于提供一種可以防止氣流污漬的激光照射裝置以及利用其的顯示面板的制造方法。
本發明的一實施例涉及的激光照射裝置可以包括:光學系統,照射激光束;密封盒,包括截斷從所述光學系統提供的所述激光束的兩末端來使所述激光束通過的多個光束切割器;腔體,包括支承基板的工作臺,以向該基板照射從所述密封盒提供的所述激光束;排氣部,與所述密封盒連接;第一傳感器,配置在所述密封盒內,且測量所述密封盒內的溫度;以及控制部,根據由所述第一傳感器測量出的測量溫度,控制所述排氣部使得所述排氣部的排氣壓力可變。
可以是,所述測量溫度越高,所述排氣壓力越增加。
可以是,所述排氣部包括通過所述控制部的控制而旋轉的排氣扇,所述排氣扇的每分鐘轉速根據所述測量溫度而可變。
可以是,在所述測量溫度小于或等于基準溫度時,以第一每分鐘轉速驅動所述排氣扇。
可以是,在所述測量溫度大于所述基準溫度時,以比所述第一每分鐘轉速大的第二每分鐘轉速驅動所述排氣扇。
可以是,所述第一每分鐘轉速具有比500每分鐘轉速小的值,所述第二每分鐘轉速具有大于或等于所述500每分鐘轉速的值,所述測量溫度越高,所述第二每分鐘轉速的值越增加。
可以是,所述基準溫度為25℃。
可以是,所述激光照射裝置還包括:第二傳感器,配置在所述密封盒內,且測量所述密封盒內的壓力,所述控制部根據由所述第二傳感器測量出的測量壓力來控制所述排氣部,使得所述排氣部的排氣壓力可變。
可以是,所述測量壓力越高,所述排氣壓力越增加。
可以是,在所述測量壓力小于或等于基準壓力時,以第一每分鐘轉速驅動所述排氣扇。
可以是,在所述測量壓力大于所述基準壓力時,以比第一每分鐘轉速大的第二每分鐘轉速驅動所述排氣扇,所述測量壓力越大,所述第二每分鐘轉速的值越增加。
可以是,所述基準壓力為1bar。
本發明的一實施例涉及的顯示面板的制造方法可以包括:生成激光束的步驟;通過配置于密封盒的光束切割器截斷所述激光束的兩末端來調節所述激光束的寬度的步驟;向基板照射調節了所述寬度的所述激光束的步驟;測量所述密封盒內的溫度的步驟;以及根據在所述密封盒測量出的測量溫度使得與所述密封盒連接的排氣部的排氣壓力可變的步驟。
(發明效果)
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