[發(fā)明專利]射頻放大器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011097159.1
• 申請(qǐng)日: 2020-10-14
• 公開（公告）號(hào): CN112702031A
• 公開（公告）日: 2021-04-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 赫爾本·威廉·德瓊;馬克·皮耶特·皮耶特·范德海登;約瑟夫·雷內(nèi)魯斯·瑪麗亞·伯格威特
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 恩智浦有限公司
• 主分類號(hào): H03F3/24
• 分類號(hào): H03F3/24
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種RF功率放大器，其特征在于，包括：

第一放大器和第二放大器，所述第一放大器和第二放大器被布置在RF功率放大器輸入與RF功率放大器輸出之間；

相位調(diào)整器，所述相位調(diào)整器被配置成調(diào)整所述第一放大器信號(hào)路徑和所述第二放大器信號(hào)路徑中的至少一個(gè)信號(hào)路徑上的信號(hào)的相位；

第一阻抗反相器，所述第一阻抗反相器具有耦合到所述第二放大器的輸出的第一阻抗反相器輸入和耦合到所述RF功率放大器輸出的第一阻抗反相器輸出；并且

其中，所述RF功率放大器被配置成取決于操作模式而啟用所述第一放大器和所述第二放大器中的至少一個(gè)放大器，并且所述第一阻抗反相器被配置成響應(yīng)于所述操作模式變更而調(diào)制所述第二放大器的負(fù)載阻抗。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RF功率放大器，其特征在于，所述相位調(diào)整器包括分相器，所述分相器具有耦合到所述RF功率放大器輸入的分相器輸入和耦合到所述第一放大器和所述第二放大器中的每個(gè)放大器的輸入的分相器輸出。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的RF功率放大器，其特征在于，另外包括：

第三放大器，所述第三放大器與所述第一和第二放大器并聯(lián)布置；其中，所述分相器輸出耦合到所述第三放大器輸入，其中取決于所述操作模式，所述RF功率放大器另外被配置成啟用所述第三放大器。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的RF功率放大器，其特征在于，所述第一阻抗反相器輸入耦合到所述第三放大器輸出，其中，所述第一阻抗反相器另外被配置成響應(yīng)于所述操作模式變更而調(diào)制所述第三放大器的負(fù)載阻抗。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的RF功率放大器，其特征在于，另外包括：

第二阻抗反相器，所述第二阻抗反相器被布置在所述第三放大器輸出與所述第一阻抗反相器輸入之間，其中，所述第一和第二阻抗反相器被配置成響應(yīng)于所述操作模式變更而調(diào)制所述第二和第三放大器的負(fù)載阻抗。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的RF功率放大器，其特征在于，另外包括：第二阻抗反相器，所述第二阻抗反相器被布置在所述第三放大器輸出與所述RF放大器輸出之間，其中，所述第二阻抗反相器被配置成響應(yīng)于所述操作模式變更而調(diào)制所述第三放大器的負(fù)載阻抗。

7.根據(jù)權(quán)利要求3至6中任一項(xiàng)所述的RF放大器，其特征在于，另外包括：第四放大器，所述第四放大器與所述第一、第二和第三放大器并聯(lián)布置；其中，所述分相器輸出耦合到所述第四放大器輸入，并且其中取決于所述操作模式，所述RF功率放大器另外被配置成啟用所述第四放大器。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的RF功率放大器，其特征在于，所述第一阻抗反相器輸入耦合到所述第四放大器輸出，并且其中，所述第一阻抗反相器另外被配置成響應(yīng)于所述操作模式變更而調(diào)制所述第四放大器的負(fù)載阻抗。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的RF功率放大器在依附于權(quán)利要求6時(shí)，其特征在于，另外包括第三阻抗反相器，所述第三阻抗反相器被布置在所述第四放大器輸出與所述第二阻抗反相器輸入之間，其中，所述第二和第三阻抗反相器另外被配置成響應(yīng)于所述操作模式變更而調(diào)制所述第四放大器的負(fù)載阻抗。

10.一種集成電路，其特征在于，包括根據(jù)在前的任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的RF功率放大器。