[發明專利]一種高穩定性低壓差線性穩壓器

在審

• 申請號: 202011096921.4
• 申請日: 2020-10-14
• 公開（公告）號: CN112162588A
• 公開（公告）日: 2021-01-01
• 發明（設計）人: 王祥;丁銳;馬煒華;樂春玲;金瑜軍
• 申請（專利權）人: 珠海海奇半導體有限公司
• 主分類號: G05F1/575
• 分類號: G05F1/575
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 陳慧華

1.一種高穩定性低壓差線性穩壓器，其特征在于，包括：

壓差放大單元(100)，其具有用于連接地線的接地端、用于連接第一供電電壓的供電電壓端、基準電壓端、反饋輸入端、輸出端；所述壓差放大單元(100)用于放大所述基準電壓端和反饋輸入端之間的壓差；

鏡像放大單元(200)，其具有與所述壓差放大單元(100)輸出端連接的輸入端、與所述地線連接的接地端、與所述第一供電電壓連接的供電電壓端、輸出端、反饋輸入端、反饋輸出端；所述鏡像放大單元(200)用于將其輸入端的電流鏡像放大；

鏡像轉換單元(300)，其具有與所述鏡像放大單元(200)輸出端連接的輸入端、與所述第一供電電壓連接的第一供電電壓端、用于連接第二供電電壓的第二供電電壓端、與地線連接的接地端、用于提供輸出電壓的輸出端、第一反饋輸出端、與所述鏡像放大單元(200)的反饋輸入端連接的第二反饋輸出端；所述鏡像轉換單元(300)用于將所述第二供電電壓和所述第一供電電壓虛短、以及將其輸入端的電流鏡像；

取樣單元(400)，其具有第一連接端、第二連接端、反饋輸出端，其第一連接端與所述鏡像轉換單元(300)的輸出端連接，第二連接端與所述地線連接，反饋輸出端與所述壓差放大單元(100)的反饋輸入端連接；所述取樣單元(400)用于從所述輸出電壓中取樣并輸出至所述壓差放大單元(100)；

第一反饋單元(500)，其連接在所述鏡像放大單元(200)的反饋輸出端與所述鏡像放大單元(200)的輸入端之間，用于矯正所述第二供電電壓波動帶來的誤差；

第二反饋單元(600)，其輸入端與所述鏡像轉換單元(300)的第一反饋輸出端連接，輸出端與所述鏡像放大單元(200)的輸入端連接，所述第二反饋單元(600)用于提高所述輸出電壓的穩定性。

2.根據權利要求1所述的高穩定性低壓差線性穩壓器，其特征在于，所述壓差放大單元(100)包括：

第一N溝道MOS管，其源極與所述地線連接，柵極與漏極連接；

第二N溝道MOS管，其源極與所述地線連接，柵極與所述第一N溝道MOS管的柵極連接，漏極用作所述壓差放大單元(100)的輸出端；

第一P溝道MOS管，其漏極與所述第一N溝道MOS管的漏極連接，柵極與所述取樣單元(400)的反饋輸出端連接；

第二P溝道MOS管，其漏極與所述第二N溝道MOS管的漏極連接，柵極用作所述壓差放大單元(100)的基準電壓端，源極與所述第一P溝道MOS管的源極連接；

第一電流源，其一端與所述第二P溝道MOS管的源極連接，另一端用于連接所述第一供電電壓。

3.根據權利要求1所述的高穩定性低壓差線性穩壓器，其特征在于，所述鏡像放大單元(200)包括：

第三N溝道MOS管，其柵極分別與所述壓差放大單元(100)的輸出端、第二反饋單元(600)的輸出端連接，源極與所述地線連接；

第四N溝道MOS管，其柵極與所述第三N溝道MOS管的漏極連接，漏極與所述第三N溝道MOS管的柵極之間連接有所述第一反饋單元(500)；

第五N溝道MOS管，其源極與所述地線連接，漏極與所述第四N溝道MOS管的源極連接，柵極與所述鏡像轉換單元(300)的第二反饋輸出端連接；

第三P溝道MOS管，其漏極與所述第四N溝道MOS管的漏極連接，其柵極與漏極連接，其源極用于連接所述第一供電電壓；

第四P溝道MOS管，其柵極與所述第三P溝道MOS管的柵極連接，其源極與所述第三P溝道MOS管的源極連接；

第六N溝道MOS管，其柵極分別與漏極、所述鏡像放大單元(200)的輸入端連接，漏極與所述第四P溝道MOS管的漏極連接，其源極與所述取樣單元(400)的第一連接端連接；

第二電流源，其一端與所述第三N溝道MOS管的漏極連接，另一端用于連接所述第一供電電壓。