[發(fā)明專(zhuān)利]將查找操作卸載到NAND卸載設(shè)備的方法和系統(tǒng)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011094562.9 | 申請(qǐng)日: | 2020-10-14 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112735496A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-04-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 紹加塔·達(dá)斯·普爾卡亞斯塔;斯里坎斯·杜姆庫(kù)爾·希瓦南德 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G11C16/04 | 分類(lèi)號(hào): | G11C16/04;G11C16/06;G11C16/26 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 趙南;張青 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 查找 操作 卸載 nand 設(shè)備 方法 系統(tǒng) | ||
1.一種將查找操作卸載到NAND卸載設(shè)備的方法,包括:
由所述NAND卸載設(shè)備從鍵值固態(tài)驅(qū)動(dòng)器NAND接口接收NAND讀命令,其中,使用NAND總線將所述NAND卸載設(shè)備連接在所述鍵值固態(tài)驅(qū)動(dòng)器NAND接口和NAND裝置之間;
由所述NAND卸載設(shè)備確定所述NAND讀命令是否包括指示間接讀操作的信息元素;
基于確定所述NAND讀命令包括所述信息元素,由所述NAND卸載設(shè)備執(zhí)行所述間接讀操作;以及
基于確定所述NAND讀命令不包括所述信息元素:
由所述NAND卸載設(shè)備通過(guò)所述NAND總線將所述NAND讀命令傳遞給所述NAND裝置,并且
由所述NAND卸載設(shè)備配置開(kāi)關(guān)以在輸出門(mén)處將來(lái)自所述NAND裝置的響應(yīng)消息傳遞給所述鍵值固態(tài)驅(qū)動(dòng)器NAND接口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述信息元素包括隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中的第一級(jí)表中包括的一比特信息,并且
其中,所述信息元素指示所述信息元素是否位于存儲(chǔ)有第二級(jí)條目的NAND裝置處。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,還包括:
由所述NAND卸載設(shè)備根據(jù)與所述NAND讀命令關(guān)聯(lián)的鍵計(jì)算散列值;
由所述NAND卸載設(shè)備在隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中的第一級(jí)表中執(zhí)行對(duì)與所述散列值對(duì)應(yīng)的第二級(jí)NAND頁(yè)地址的查找;以及
由所述NAND卸載設(shè)備基于所述第二級(jí)NAND頁(yè)地址確定所述NAND讀命令是否包括所述信息元素。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,還包括:
由包括在所述鍵值固態(tài)驅(qū)動(dòng)器NAND接口中的閃存轉(zhuǎn)換層模塊讀取持有與所述NAND讀命令關(guān)聯(lián)的鍵的映射信息的NAND頁(yè);
由所述閃存轉(zhuǎn)換層模塊讀取持有與所述鍵對(duì)應(yīng)的值的NAND頁(yè);以及
由所述閃存轉(zhuǎn)換層模塊基于與所述鍵對(duì)應(yīng)的值通過(guò)所述NAND總線將所述NAND讀命令傳遞給所述NAND裝置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,還包括:
由所述NAND卸載設(shè)備從所述鍵值固態(tài)驅(qū)動(dòng)器NAND接口接收所述NAND讀命令;
由所述NAND卸載設(shè)備確定所述NAND讀命令是間接讀命令;
由所述NAND卸載設(shè)備將所述NAND讀命令修改為正常讀命令;
由所述NAND卸載設(shè)備將所述正常讀命令發(fā)送到所述NAND裝置;
由所述NAND卸載設(shè)備基于所述正常讀命令從所述NAND裝置接收所述響應(yīng)消息;
由所述NAND卸載設(shè)備將所述響應(yīng)消息存儲(chǔ)在緩沖隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中;
由所述NAND卸載設(shè)備在存儲(chǔ)在所述緩沖隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中的NAND頁(yè)內(nèi)搜索用于下一級(jí)映射的鍵;
由所述NAND卸載設(shè)備在由所述下一級(jí)映射標(biāo)識(shí)的位置處將所述NAND讀命令發(fā)送到所述NAND裝置;以及
由所述NAND卸載設(shè)備將所述響應(yīng)消息從所述NAND裝置轉(zhuǎn)發(fā)給所述鍵值固態(tài)驅(qū)動(dòng)器NAND接口。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,還包括:
將鍵和值編程到開(kāi)放塊中的閃存轉(zhuǎn)換層模塊的附加點(diǎn);
根據(jù)鍵計(jì)算散列值;
確定第二級(jí)表的頁(yè)地址;
將第二級(jí)表的條目更新到持有所述第二級(jí)表的條目的NAND塊的附加點(diǎn);
確定所述鍵和所述值是否包括在與所述第二級(jí)表相同的晶片中;
基于所述鍵和所述值包括在與所述第二級(jí)表相同的晶片中,針對(duì)所述散列值在第一級(jí)表的條目中設(shè)定比特;以及
基于所述鍵和所述值不包括在與所述第二級(jí)表相同的晶片中,在所述第一級(jí)表的條目中更新所述第二級(jí)表的頁(yè)地址。
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