[發明專利]一種量子點的制備方法、量子點、量子點膜及顯示裝置

有效

• 申請號: 202011094438.2
• 申請日: 2020-10-14
• 公開（公告）號: CN112175615B
• 公開（公告）日: 2023-07-11
• 發明（設計）人: 曹佳佳;崔娜;楊涵妮;陳莉敏;單玉亮;方龍;張思源
• 申請（專利權）人: 蘇州星爍納米科技有限公司
• 主分類號: C09K11/70
• 分類號: C09K11/70;C09K11/88;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y40/00
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本發明公開了一種量子點的制備方法、量子點、量子點膜及顯示裝置，制備方法包括如下步驟：S1、獲得包括第一鋅源和具有第一殼層的量子點的混合液；S2、向混合液中加入酸刻蝕劑，酸刻蝕劑對第一殼層進行刻蝕。本發明有如下優點：首先采用第一鋅源對具有第一殼層的量子點進行保護，再采用酸刻蝕劑對第一殼層進行刻蝕，消除因量子點第一殼層表面氧化所造成的負面效果，為后續殼層的生長提供條件；刻蝕后，還在第一殼層表面繼續生長第二殼層，有利于形成殼層較厚的量子點，進一步加強了量子點的穩定性，放置300天還能保持量子點的量子產率基本不降；將上述量子點制作成量子點膜，量子點膜的效率高，穩定性好，熱循環下量子點膜的量子產率基本不變化。

技術領域

本發明屬于量子點領域，尤其涉及一種量子點的制備方法、量子點、量子點膜及顯示裝置。

背景技術

目前對量子點的研究正逐步完善，有些量子點雖然初始的量子產率(QY)高達90％以上，但是隨著放置時間的延長，QY下降得很快。隨著對量子點的研究逐步變得深入，如何提高量子點的穩定性能、減小其結構或缺陷成為研發人員研究的主要方向。因此無論是對研究時間較長的CdSe、CdS等II-VI族量子點，還是相對較新的InP等無鎘量子點，如何消除結構缺陷，提升穩定性等，仍然是研發人員的研究重點。

現有技術為了提升量子點的穩定性，常常會為量子點包覆較厚的殼層，但其能夠實現的包覆程度有限，并且包覆效果也不好，因此需要研發出一種新的量子點的制備方法，既不會對量子點本身造成傷害，還能夠實現完整包覆，提升量子點的穩定性。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的是提供一種簡單、穩定性高的量子點的制備方法、量子點、量子點膜及顯示裝置。

為達到上述目的，本發明采用的技術方案是：

本發明的第一個目的在于提供一種量子點的制備方法，包括如下步驟：

S1、獲得包括第一鋅源和具有第一殼層的量子點的混合液；

S2、向所述混合液中加入酸刻蝕劑，所述酸刻蝕劑對所述第一殼層進行刻蝕。

具體的，還包括步驟：S3、升溫至220-300℃，加入硫源，在所述第一殼層外生長第二殼層，得到所述量子點。

優選地，所述步驟S3中還包括加入第二鋅源的步驟。

進一步優選地，所述第一鋅源和第二鋅源各自獨立地選自羧酸鋅，鹵化鋅或者有機鋅中的至少一種，所述硫源包括無機硫、硫的有機磷配合物、硫的脂肪胺化合物、有機硫化合物、有機硫醇化合物中的至少一種；

更進一步優選地，所述第一鋅源和第二鋅源各自獨立的選自鋅粉、氧化鋅、氯化鋅、草酸鋅、醋酸鋅、碳酸鋅、硬脂酸鋅、乙酰丙酮鋅、二乙基鋅、十一烯酸鋅、十四酸鋅、油酸鋅中的至少一種。

具體的，所述第一鋅源、所述具有第一殼層的量子點的投料質量比為(1-10):1。

具體的，所述具有第一殼層的量子點、所述酸刻蝕劑的投料質量比為(1-50):1000。

具體的，所述酸刻蝕劑為含有機酸和/或無機酸的分散液；

優選地，所述有機酸和/或無機酸在所述分散液中的投料質量分數為(0.04-5)：100；

優選地，所述有機酸包括甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、辛酸、己二酸、乙二酸、丙二酸、丁二酸、馬來酸、酒石酸、苯甲酸、苯乙酸、鄰苯二甲酸、對苯二甲酸、戊酸、己酸、癸酸、硬脂酸、軟脂酸、丙烯酸、磺酸、亞磺酸、硫代羧酸中的一種或多種；所述無機酸包括鹽酸、硝酸、硼酸、氫氰酸、氫鹵酸、亞硝酸、高鹵酸、鹵酸、亞鹵酸、次鹵酸、偏鋁酸中的一種或多種，其中鹵素包括氟、氯、溴、碘。