[發明專利]一種用于MOSFET器件生產的封裝裝置

有效

• 申請號: 202011093876.7
• 申請日: 2020-10-14
• 公開（公告）號: CN112331583B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 許會芳;孫雯;王娜
• 申請（專利權）人: 安徽科技學院
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/56
• 代理公司: 合肥信誠兆佳知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 34159
• 代理人: 鄧勇

本發明屬于MOSFET器件生產技術領域，尤其是一種用于MOSFET器件生產的封裝裝置，現提出如下方案，包括支撐組件，所述支撐組件的內部安裝有成環形分布的輸送組件，所述輸送組件上安裝有沿其長度方向分布的封裝組件，所述支撐組件的頂部安裝有按壓組件，所述按壓組件的前端安裝有上料組件，所述上料組件的前端安裝有與支撐組件固接的定位輸送組件，所述輸送組件的后端下方安裝有下料組件。本發明實現了對MOSFET器件生產過程中的定位上料、注塑封裝、引腳彎曲和下料操作，實現了MOSFET器件生產的連續性生產，提高了MOSFET器件生產效率，提高了MOSFET器件生產封裝的一致性，提高了MOSFET器件生產質量，降低操作人員的勞動強度。

技術領域

本發明涉及MOSFET器件生產技術領域，尤其涉及一種用于MOSFET器件生產的封裝裝置。

背景技術

金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同，可分為“N型”與“P型”的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱上包括NMOS、PMOS等；

在生產MOSFET器件的過程中需要對其進行封裝處理，同時MOSFET器件的引腳根據安裝需求要進行彎曲操作，現有的封裝裝置封裝效率低不能對引腳進行彎曲，為此需要一種用于MOSFET器件生產的封裝裝置。

發明內容

本發明提出的一種用于MOSFET器件生產的封裝裝置，解決了現有技術中存在的問題。

為了實現上述目的，本發明采用了如下技術方案：

一種用于MOSFET器件生產的封裝裝置，包括支撐組件，所述支撐組件的內部安裝有成環形分布的輸送組件，所述輸送組件上安裝有沿其長度方向分布的封裝組件，所述支撐組件的頂部安裝有按壓組件，所述按壓組件的前端安裝有上料組件，所述上料組件的前端安裝有與支撐組件固接的定位輸送組件，所述輸送組件的后端下方安裝有下料組件；

所述封裝組件包括與輸送組件固接的下模，所述下模的頂部開設有成型腔，所述成型腔開口處的兩側均開設有沿其長度方向分布的引腳放置槽，所述成型腔的底部下方開設有位于下模內部的氣腔，氣腔的兩端上方均開設有L型結構的第一連接通道，所述第一連接通道的頂部均貫穿有位于引腳放置槽內部的第一吸附孔，兩組第一連接通道相互遠離的一側開設有安裝槽，所述安裝槽的頂部開口處安裝有活動壓板，所述活動壓板的頂部開設有與引腳放置槽連通的延伸放置槽，所述活動壓板的內部預留有沿其長度方向設置的空腔，空腔的頂部貫穿有與延伸放置槽連通的第二吸附孔，空腔靠近第一連接通道的一端貫穿有活動壓板的第一連接孔，所述第一連接通道靠近活動壓板的一端貫穿有第二連接孔，所述第二連接孔遠離第一連接孔的一端安裝有與第一連接通道滑動連接的L型結構的擠壓板，擠壓板遠離第二連接孔的一端底部固接有與下模活動套接的推桿，且推桿延伸至安裝槽的內部，氣腔的一側固定套接有氣管，下模的兩側均固接有連接桿，成型腔的底部內側壁活動套接有頂桿，頂桿伸出下模底部的一端固接有底板。

優選的，所述支撐組件包括U型結構的支撐座，輸送組件位于支撐座的內部，支撐座的一側內側壁開設有位于輸送組件的內圈的環形結構的引導槽，引導槽的內部滑道套接有與下模固接的保持桿，支撐座的另一側內側壁開設有位于輸送組件的內圈的環形結構的輸氣通道，輸氣通道的橫截面為十字型結構，輸氣通道的內部活動套接有環形結構的密封板，密封板與氣管固定套接，輸送組件的內圈安裝有與支撐座內側壁固接的抵接板，抵接板靠近下料組件的一側下方固接頂塊，頂塊的底部安裝有兩組位于輸氣通道內部的分隔板，兩組分隔板之間安裝有與支撐座固定套接的進氣管，兩組分隔板相互遠離的一側安裝有與支撐座固定套接的抽氣管。

優選的，所述輸送組件包括成環形分布的鏈輪，鏈輪鏈接有環形結構的鏈條，且鏈條與連接桿固接，其中一個鏈輪通過聯軸器安裝有與支撐座固接的第一電機。