[發(fā)明專利]陣列基板及其制作方法、顯示面板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011088930.9 | 申請日： | 2020-10-13 |
| 公開（公告）號： | CN112241089B | 公開（公告）日： | 2022-07-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 唐維;黃建龍;曹志浩 | 申請（專利權(quán)）人： | 武漢華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/1362 | 分類號： | G02F1/1362;G02F1/1335;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人： | 何志軍 |
| 地址： | 430079 湖北省武漢市*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 陣列 及其 制作方法 顯示 面板 | ||
1.一種陣列基板，包括源漏極層，所述源漏極層包括第一鈦金屬層，第二鈦金屬層，以及設(shè)置在所述第一鈦金屬層和所述第二鈦金屬層之間的鋁金屬層，所述鋁金屬層未被所述第一鈦金屬層和所述第二鈦金屬層覆蓋的側(cè)面具有缺陷，其特征在于，所述陣列基板還包括黑色矩陣層，所述黑色矩陣層至少覆蓋所述缺陷以及所述源漏極層除底面外的所有外表面，并使所述源漏極層具有所述缺陷的側(cè)面呈平面，所述源漏極層和所述黑色矩陣層通過同一道光罩形成，且所述黑色矩陣層在所述陣列基板上的寬度為2.8um-4um。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述黑色矩陣層填充所述缺陷。
3.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，所述陣列基板的制作方法至少包括以下步驟：
在層間介質(zhì)層上設(shè)置金屬層，并圖案化所述金屬層形成源漏極層；其中，所述源漏極層包括第一鈦金屬層，第二鈦金屬層，以及設(shè)置在所述第一鈦金屬層和所述第二鈦金屬層之間的鋁金屬層，所述鋁金屬層未被所述第一鈦金屬層和所述第二鈦金屬層覆蓋的側(cè)面具有缺陷；以及
制備黑色矩陣層，其中所述黑色矩陣層至少覆蓋所述缺陷以及所述源漏極層除底面外的所有外表面，并使所述源漏極層具有所述缺陷的側(cè)面呈平面，所述源漏極層和所述黑色矩陣層通過同一道光罩形成，且所述黑色矩陣層在所述陣列基板上的寬度為2.8um-4um。
4.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括如權(quán)利要求1-2中任意一項所述的陣列基板。
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G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào)，上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的；用于上述操作的技術(shù)或工藝；變頻；非線性光學(xué)；光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如，轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制；非線性光學(xué)
G02F1-01 .對強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制，即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的
