[發明專利]NF3氣體檢測預處理爐在審
| 申請號: | 202011088574.0 | 申請日: | 2020-10-13 |
| 公開(公告)號: | CN112415134A | 公開(公告)日: | 2021-02-26 |
| 發明(設計)人: | 鄭銳 | 申請(專利權)人: | 南通崢麒環??萍加邢薰?/a> |
| 主分類號: | G01N33/00 | 分類號: | G01N33/00;G01N1/44;F27B17/02 |
| 代理公司: | 上海海貝律師事務所 31301 | 代理人: | 宋振宇 |
| 地址: | 226321 江蘇省南通市通州區高*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | nf3 氣體 檢測 預處理 | ||
本發明公開了一種NF3氣體檢測預處理爐,包括外殼,外殼一側設置待測氣體NF3的氣嘴進氣口,和轉化氣體NO2的氣嘴出氣口,另一側安裝PCBA、PCB材質環氧玻璃布層壓板F4、單面布元器件;設置包含NF3氣體進氣口和NO2出氣口的外殼,在進氣口上游安裝穩流閥,保證NF3進氣流量穩定在200~250ml/min內;將反應質加熱并恒定保持在設計溫度的恒溫內腔,內部安裝有陶瓷加熱元件和測溫PT100熱電阻,兩者與恒溫內腔間通過無機粘結劑氣密封接。
技術領域
本發明涉及NF3氣體檢測相關技術領域,更具體地說是一種NF3氣體檢測預處理爐。
背景技術
半導體制造工藝流程中使用蝕刻或清洗的三氟化氮(NF3)氣體,具有極高的溫室效應潛值(GWP),其GWP為17200,大氣中存留時間約740年。隨著半導體行業的快速發展,其排放量逐年上升。2008年聯合國環境大會將NF3增列為限制排放的溫室氣體。NF3有毒,允許最高濃度(threshold limit value,TLV)是10ppm,長期高濃度接觸會導致肝臟和腎臟損傷,急性高劑量可引發缺氧中毒死亡。
在線監測NF3氣體泄漏,及時采取對策,可以避免持續排放對人員和周邊環境造成傷害。目前NF3氣體無法直接通過電化學反應檢測,可以事先通過高溫熱裂解成氟化氫(HF),中溫催化轉化成二氧化氮(NO2),再進行檢測。
本發明申請方案首次利用NF3氣體與反應質的中溫固相反應(200~400℃),通過檢測反應生成的二氧化氮(NO2)氣體來檢測NF3氣體濃度,檢測原理簡單,制造成本低廉,性能穩定可靠。
發明內容
本發明為解決上述技術問題而采用的技術方案是提供一種NF3氣體檢測預處理爐,通過檢測經預反應生成的NO2氣體來對NF3氣體進行檢測。
具體技術方案為:
NF3氣體檢測預處理爐,包括外殼,外殼一側設置待測氣體NF3的氣嘴進氣口,和轉化氣體NO2的氣嘴出氣口,另一側安裝PCBA、PCB材質環氧玻璃布層壓板F4、單面布元器件;所述外殼內為內腔,在外殼與內腔之間,氣嘴進氣口連接進氣連通管,氣嘴出氣口連接出氣連通管,所述進氣連通管、出氣連通管連接內腔,所述內腔內設置發熱元件,所述發熱元件內為反應質安裝區域,進出內腔設有石英棉阻擋層,分隔固定反應質,所述內腔內設置預熱盤管,發熱元件在預熱盤管內,所述內腔內設置測溫元件,所述測溫元件與PCBA連接。
上述的NF3氣體檢測預處理爐,其中:反應質選材是能夠在200~400℃,與NF3反應生成對應的金屬氟化合物和氮氧化物氣體,反應可持續,反應質使用率大于80%,NF3轉化率大于90%,生成氮氧化物氣體組成穩定。
上述的NF3氣體檢測預處理爐,其中:反應質材料包括三個組分:(1)疏松多孔或薄殼的伽馬相或無定形的氧化鋁載體;(2)起固氟作用的錳/鈷/鐵等金屬元素;包括不限于氧化物、氫氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽、磷酸鹽、硫酸鹽、醋酸鹽、硅酸鹽;(3)促進NF3低溫分解的金屬,包括不限于鉀、鈣、鎂,和堿金屬、堿土金屬元素,包括不限于碳酸鹽、磷酸鹽、硝酸鹽、硫酸鹽、醋酸鹽、硅酸鹽。
上述的NF3氣體檢測預處理爐,其中:實際應用時,反應質材料是組分(1)單獨使用,或者(1)+(2)、(1)+(2)+(3)混合使用,但必須有氧化鋁存在,氧化鋁載體是經過摻雜改性的無定形化合物,或是單一晶型伽馬相的單一化合物;包括不限于錳、鈷、鐵的過渡金屬元素,單獨使用或復配使用,作用是與NF3反應生成對應的金屬氟化物,固定氟元素;堿金屬、堿土金屬元素,單獨使用或復配使用,作用是與NF3有較高反應活性,能夠在低溫下促進NF3的分解,提高NF3的分解率,同時促進反應副產物NOx的生成。
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