[發明專利]基于單層各向異性超材料的寬頻帶四分之一波片

有效

• 申請號: 202011087591.2
• 申請日: 2020-10-13
• 公開（公告）號: CN112305659B
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發明（設計）人: 呂婷婷;劉東明;劉超;劉強;董秋璇;宋美萍
• 申請（專利權）人: 東北石油大學
• 主分類號: G02B5/30
• 分類號: G02B5/30
• 代理公司: 大慶禹奧專利事務所 23208
• 代理人: 朱士文;楊曉梅

1.基于單層各向異性超材料的寬頻帶四分之一波片，是由介質層1和人工電磁材料結構層2構成，其特征在于所述的人工電磁材料結構層2光刻蝕于介質層1上表面，人工電磁材料結構層2是由周期性排列的連續臺階型曲折線結構層基本單元構成；

所述的結構層基本單元由等線寬的單L型結構3、臺階型三L型結構5、臺階型雙L型結構4和線柵結構6由右向左一次排列而成，單L型結構3與三L型結構5之間的距離、三L型結構5與雙L型結構4之間的距離、以及雙L型結構4與線柵結構6之間的距離均為w，所述的w= 10 μm。

2.根據權利要求1所述的基于單層各向異性超材料的寬頻帶四分之一波片，其特征在于所述的介質層1的材質為聚酰亞胺或二氧化硅，介質層1的厚度為t、其厚度為微米量級。

3.根據權利要求1所述的基于單層各向異性超材料的寬頻帶四分之一波片，其特征在于所述的結構層基本單元的材質為銅、金或鋁，結構層基本單元的厚度為t_m、其厚度為納米量級。

4.根據權利要求1所述的基于單層各向異性超材料的寬頻帶四分之一波片，其特征在于所述的結構層基本單元長為12w、寬為6w。

5.根據權利要求1或4所述的基于單層各向異性超材料的寬頻帶四分之一波片，其特征在于所述的單L型結構3為L型、其長邊為4w、短邊為2w、寬為w。

6.根據權利要求1或4所述的基于單層各向異性超材料的寬頻帶四分之一波片，其特征在于所述的臺階型雙L型結構4是由雙L型結構基本單元Ⅰ8和雙L型結構基本單元Ⅱ9首尾相接而成，所述的雙L型結構基本單元Ⅰ8的長邊為5w、短邊為3w、寬為w，雙L型結構基本單元Ⅱ9的長邊為5w、短邊為2w、寬為w。

7.根據權利要求1或4所述的基于單層各向異性超材料的寬頻帶四分之一波片，其特征在于所述的臺階型三L型結構5是由兩個三L型結構基本單元Ⅰ10和三L型結構基本單元Ⅱ7依次首尾相接而成，所述的三L型結構基本單元Ⅰ10的長邊為5w、短邊為2w、寬為w，三L型結構基本單元Ⅱ7的長邊為2w、短邊為2w、寬為w。

8.根據權利要求1或4所述的基于單層各向異性超材料的寬頻帶四分之一波片，其特征在于所述的線柵結構6為長方形、其長度為3w、寬度為w。